BSS316NH6327, 30V 1.4A 500mW 160mOhm@10V,1.4A 1.2V@3.7uA N Channel SOT-23-3L MOSFETs

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8017598975
- Артикул
- BSS316NH6327
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Вес, г
- 0.01
- Длина
- 2.9 mm
- Серия
- BSS316
- Высота
- 1.1 mm
Цена по запросу
(от 25 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
МОП-транзистор N-Ch 30V 1.4A SOT-23-3
Технические параметры
| Вес, г | 0.01 |
| Длина | 2.9 mm |
| Серия | BSS316 |
| Высота | 1.1 mm |
| Корпус | SOT-23-3 |
| Ширина | 1.3 mm |
| Структура | N-Channel |
| Технология | Si |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Время спада | 1 ns |
| Особенности | - |
| Тип продукта | MOSFET |
| Квалификация | AEC-Q101 |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Торговая марка | Infineon Technologies |
| Упаковка / блок | SOT-23-3 |
| Канальный режим | Enhancement |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Qg - заряд затвора | 600 pC |
| Время нарастания | 2.3 ns |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Pd - рассеивание мощности | 500 mW (1/2 W) |
| Другие названия товара № | BSS316NH6327XT BSS316NH6327XTSA1 SP000928948 |
| Id - непрерывный ток утечки | 1.4 A |
| Размер фабричной упаковки | 3000 |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 119 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 30 V |
| Пороговое напряжение на затворе | 0.65…1.45 В |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Типичное время задержки выключения | 5.8 ns |
| Типичное время задержки при включении | 3.4 ns |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 1.2 V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 30 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 1.4 |
| Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 2.3 S |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 0.5 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 160мОм |