Моя заявка (0)

BSS315PH6327XTSA1, Транзистор: P-MOSFET, полевой, -30В, -1,5А, 0,5Вт, PG-SOT23

BSS315PH6327XTSA1, Транзистор: P-MOSFET, полевой, -30В, -1,5А, 0,5Вт, PG-SOT23

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8070138951
Артикул
BSS315PH6327XTSA1
Бренд
INFINEON TECHNOLOGIES AG.
V(DS)
30 V
Brand:
Infineon Technologies
P(tot)
0.5 W
Package
SOT-23
Цена по запросу
(от 30,65 ₽)
Минимальный заказ: 100 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Infineon создает транзистор P-channel с режимом усиления, широко используемый в приложенияx с высокой коммутацией.

Технические параметры

V(DS)30 V
Brand:Infineon Technologies
P(tot)0.5 W
PackageSOT-23
Series:BSS315
PackagingREEL
Pin Count3
AutomotiveAEC-Q(101)
Fall Time:7.5 ns
Rise Time:6.5 ns
Вес, г0.02
RoHS StatusRoHS-conform
Technology:Si
Channel TypeP
Package TypeSOT-23
Subcategory:MOSFETs
Channel Mode:Enhancement
ConfigurationP-CH
Manufacturer:Infineon
Mounting TypeSurface Mount
Product Type:MOSFET
RDS(on)at 10V150 mOhm
Configuration:Single
Fast bodydiodeNO
Qualification:AEC-Q101
I(D)at Tc=25°C1.5 A
Mounting Style:SMD/SMT
Package / Case:SOT-23-3
Part # Aliases:BSS315P H6327 SP000928946
Transistor Type:1 P-Channel
Product Category:MOSFET
Qg - Gate Charge:2.3 nC
Number of Channels:1 Channel
Transistor Polarity:P-Channel
Pd - Power Dissipation:500 mW
Vgs - Gate-Source Voltage:-20 V, +20 V
Number of Elements per Chip1
Typical Turn-On Delay Time:5 ns
Maximum Drain Source Voltage30 V
Typical Turn-Off Delay Time:14.3 ns
Id - Continuous Drain Current:1.5 A
Maximum Operating Temperature:+150 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Forward Transconductance - Min:2.7 S
Maximum Continuous Drain Current150 mA
Rds On - Drain-Source Resistance:113 mOhms
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:30 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:2 V
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity:3000

Техническая документация