BSS315PH6327XTSA1, Транзистор: P-MOSFET, полевой, -30В, -1,5А, 0,5Вт, PG-SOT23
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8022215608
- Артикул
- BSS315PH6327XTSA1
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- V(DS)
- 30 V
- Brand:
- Infineon Technologies
- P(tot)
- 0.5 W
- Package
- SOT-23
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Описание Транзистор полевой BSS315PH6327XTSA1 производства INFINEON представляет собой высококачественный N-MOSFET компонент, предназначенный для монтажа в SMD-технологии. Этот транзистор способен управлять током стока до 1,5 А и имеет максимальное напряжение сток-исток 30 В, что делает его подходящим для широкого спектра электронных применений. С номинальной мощностью 0,5 Вт и низким сопротивлением в открытом состоянии всего 0,15 Ом, BSS315PH6327XTSA1 обеспечивает эффективное и надежное управление током. Компактный корпус PG-SOT23 позволяет использовать данное устройство в ограниченных пространствах без ущерба для производительности. Для заказа используйте код BSS315PH6327XTSA1 без специальных символов и пробелов. Характеристики Категория Транзистор Тип полевой Вид N-MOSFET Монтаж SMD Ток стока, А 1.5 Напряжение сток-исток, В 30 Мощность, Вт 0.5 Сопротивление в открытом состоянии, Ом 0.15 Корпус PG-SOT23
Технические параметры
| V(DS) | 30 V |
| Brand: | Infineon Technologies |
| P(tot) | 0.5 W |
| Package | SOT-23 |
| Series: | BSS315 |
| Packaging | REEL |
| Pin Count | 3 |
| Automotive | AEC-Q(101) |
| Fall Time: | 7.5 ns |
| Rise Time: | 6.5 ns |
| Вес, г | 4.54 |
| RoHS Status | RoHS-conform |
| Technology: | Si |
| Channel Type | P |
| Package Type | SOT-23 |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Корпус | sot23 |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Configuration | P-CH |
| Manufacturer: | Infineon |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Product Type: | MOSFET |
| RDS(on)at 10V | 150 mOhm |
| Configuration: | Single |
| Fast bodydiode | NO |
| Qualification: | AEC-Q101 |
| I(D)at Tc=25°C | 1.5 A |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | SOT-23-3 |
| Part # Aliases: | BSS315P H6327 SP000928946 |
| Transistor Type: | 1 P-Channel |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 2.3 nC |
| Структура | MOSFET |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | P-Channel |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 500 mW |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Typical Turn-On Delay Time: | 5 ns |
| Maximum Drain Source Voltage | 30 V |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 14.3 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 1.5 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Forward Transconductance - Min: | 2.7 S |
| Maximum Continuous Drain Current | 150 mA |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 113 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 30 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 2 V |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 3000 |
| Пороговое напряжение на затворе | 1…2.5 В |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 0.5 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 1.5 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 0.5 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |