BSS314PEH6327XTSA1, Транзистор P-МОП, полевой, -30В, -1,5А, 500мВт, PG-SOT23
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8070101038
- Артикул
- BSS314PEH6327XTSA1
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- ECCN
- EAR99
- HTSUS
- 8541.21.0095
- Width
- 0.1mm
- Series
- OptiMOSв„ў ->
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Описание Транзистор полевой BSS314PEH6327XTSA1 от производителя INFINEON — это высококачественный N-MOSFET компонент, предназначенный для монтажа SMD. Он отличается током стока в 1,5 А, напряжением сток-исток 30 В и мощностью 0,5 Вт. Сопротивление в открытом состоянии составляет всего 0,14 Ом, что обеспечивает его высокую эффективность в работе. Транзистор упакован в надежный корпус PG-SOT23, который обеспечивает удобство в использовании и надежность при монтаже на печатные платы. Идеальный выбор для разработчиков электронных устройств, ищущих компоненты с оптимальным соотношением цены и качества. Продукт под кодом BSS314PEH6327XTSA1 гарантирует стабильность и долговечность ваших электронных проектов. Характеристики Категория Транзистор Тип полевой Вид N-MOSFET Монтаж SMD Ток стока, А 1.5 Напряжение сток-исток, В 30 Мощность, Вт 0.5 Сопротивление в открытом состоянии, Ом 0.14 Корпус PG-SOT23
Технические параметры
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS | 8541.21.0095 |
| Width | 0.1mm |
| Series | OptiMOSв„ў -> |
| Вид | N-MOSFET |
| Тип | полевой |
| Package | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ® |
| FET Type | P-Channel |
| Pin Count | 3 |
| Vgs (Max) | В±20V |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Вес, г | 0.03 |
| Длина | 2.9 mm |
| Серия | BSS314 |
| RoHS Status | ROHS3 Compliant |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | P |
| Package Type | SOT-23 |
| REACH Status | REACH Unaffected |
| Высота | 1.1 mm |
| Монтаж | SMD |
| Ширина | 1.3 mm |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 6.3ВµA |
| Base Product Number | BSS314 -> |
| Transistor Material | Si |
| Технология | Si |
| Forward Diode Voltage | 1.1V |
| Operating Temperature | -55В°C ~ 150В°C (TJ) |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Время спада | 2.8 ns |
| Ток стока, А | 1.5 |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 140mOhm @ 1.5A, 10V |
| Мощность, Вт | 0.5 |
| Power Dissipation (Max) | 500mW (Ta) |
| Supplier Device Package | SOT-23-3 |
| Тип продукта | MOSFET |
| Transistor Configuration | Single |
| Квалификация | AEC-Q101 |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Maximum Power Dissipation | 500 mW |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 2.9 nC @ 10 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -20 V, +20 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Торговая марка | Infineon Technologies |
| Упаковка / блок | SOT-23-3 |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 2.9nC @ 10V |
| Maximum Drain Source Voltage | 30 V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Канальный режим | Enhancement |
| Тип транзистора | 1 P-Channel |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 2V |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 1V |
| Qg - заряд затвора | 2.9 nC |
| Maximum Drain Source Resistance | 230 mΩ |
| Время нарастания | 3.9 ns |
| Maximum Continuous Drain Current | 1.5 A |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 294pF @ 15V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C | 1.5A (Ta) |
| Полярность транзистора | P-Channel |
| Pd - рассеивание мощности | 500 mW (1/2 W) |
| Напряжение сток-исток, В | 30 |
| Другие названия товара № | BSS314PE BSS314PEH6327XT H6327 SP000928944 |
| Id - непрерывный ток утечки | 1.5 A |
| Размер фабричной упаковки | 3000 |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 107 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 30 V |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Типичное время задержки выключения | 12.4 ns |
| Типичное время задержки при включении | 5.1 ns |
| Сопротивление в открытом состоянии, Ом | 0.14 |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 2 V |
| Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 3 S |