BSS308PEH6327XTSA1, Транзистор P-МОП, полевой, -30В, -2А, 500мВт, PG-SOT23
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8070073770
- Артикул
- BSS308PEH6327XTSA1
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Width
- 1.3mm
- Series
- OptiMOS P
- Pin Count
- 3
- Вес, г
- 0.06
Цена по запросу
(от 26,18 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
P-канальные МОП-транзисторы Infineon OptiMOS™ разработаны таким образом, чтобы обеспечить расширенные возможности и высокое качество исполнения.
Технические параметры
| Width | 1.3mm |
| Series | OptiMOS P |
| Pin Count | 3 |
| Вес, г | 0.06 |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | P |
| Package Type | SOT-23 |
| Mounting Type | Surface Mount |
| RoHS Compliant | Yes |
| Transistor Material | Si |
| Transistor Configuration | Single |
| Maximum Power Dissipation | 500 mW |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 5 nC @ 10 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -20 V, +20 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Maximum Drain Source Voltage | 30 V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 1V |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 2V |
| Maximum Drain Source Resistance | 130 mΩ |
| Maximum Continuous Drain Current | 1.6 A |