BSS308PEH6327XTSA1, Транзистор P-МОП, полевой, -30В, -2А, 500мВт, PG-SOT23
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8029607931
- Артикул
- BSS308PEH6327XTSA1
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Width
- 1.3mm
- Series
- OptiMOS P
- Pin Count
- 3
- Вес, г
- 0.06
Цена по запросу
(от 29 ₽)
Минимальный заказ: 100 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Описание Транзистор P-МОП, полевой, -30В, -2А, 500мВт, PG-SOT23 Характеристики Категория Транзистор Тип полевой Вид N-MOSFET Монтаж SMD Ток стока, А 2 Напряжение сток-исток, В 30 Мощность, Вт 0.5 Сопротивление в открытом состоянии, Ом 0.08 Корпус PG-SOT23
Технические параметры
| Width | 1.3mm |
| Series | OptiMOS P |
| Pin Count | 3 |
| Вес, г | 0.06 |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | P |
| Package Type | SOT-23 |
| Корпус | sot23 |
| Mounting Type | Surface Mount |
| RoHS Compliant | Yes |
| Структура | P-МОП |
| Transistor Material | Si |
| Особенности | - |
| Transistor Configuration | Single |
| Maximum Power Dissipation | 500 mW |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 5 nC @ 10 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -20 V, +20 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Maximum Drain Source Voltage | 30 V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 1V |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 2V |
| Maximum Drain Source Resistance | 130 mΩ |
| Maximum Continuous Drain Current | 1.6 A |
| Пороговое напряжение на затворе | 1…2.5 В |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 2 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 0.5 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |