BSS308PEH6327, 30V 2A 500mW 80mOhm@10V,2A 2V@11uA P Channel SOT-23 MOSFETs ROHS
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8017601793
- Артикул
- BSS308PEH6327
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Type
- 1PCSPChannel
- Brand:
- Infineon Technologies
- Fall Time:
- 2.8 ns
- Rise Time:
- 7.7 ns
Цена по запросу
(от 19,84 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
30 В 2A 500 МВт 80 Мом при 10 В, 2A 2 В при 11uA 1-канальные МОП-транзисторы SOT-23 ROHS
Технические параметры
| Type | 1PCSPChannel |
| Brand: | Infineon Technologies |
| Fall Time: | 2.8 ns |
| Rise Time: | 7.7 ns |
| Вес, г | 0.01 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | Transistors |
| Корпус | SOT-23 |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Infineon |
| Package/Case: | SOT-23-3 |
| Product Type: | MOSFETs |
| Configuration: | Single |
| Qualification: | AEC-Q100 |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Part # Aliases: | BSS38PEH6327XT SP000928942 BSS308PEH6327XTSA1 |
| Transistor Type: | 1 P-Channel |
| Product Category: | MOSFETs |
| Qg - Gate Charge: | 5 nC |
| Структура | P-Channel |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | P-Channel |
| Operating Temperature | -55℃~+150℃@(Tj) |
| Factory Pack Quantity: | 3000 |
| Power Dissipation (Pd) | 500mW |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 500 mW |
| Total Gate Charge (Qg@Vgs) | 5nC@10V |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 5.6 ns |
| Input Capacitance (Ciss@Vds) | 500pF@15V |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 15.3 ns |
| Continuous Drain Current (Id) | 2A |
| Id - Continuous Drain Current: | 2 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Forward Transconductance - Min: | 4.6 S |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 62 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 30 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 2 V |
| Пороговое напряжение на затворе | 2V@11uA |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 30 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 2 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 0.5 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 80mΩ@2A, 10V |