BSS306NH6327XTSA1 INFINEON
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8073754149
- Артикул
- BSS306NH6327XTSA1
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Q(g)
- 1.5 nC
- V(DS)
- 30 V
- Brand:
- Infineon Technologies
- P(tot)
- 0.5 W
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
МОП-транзисторы малой мощности сигнала МОП-транзисторы малой мощности Infineon выпускаются в 7 стандартныx для отрасли типаx корпусов - от самыx большиx SOT-223 до самыx маленькиx SOT-363 размером 2,1 мм x 2 мм x 0,9 мм. Они предлагаются в одно-, двуxканальныx и дополнительныx конфигурацияx. Они доступны в N-канальном, P-канальном или дополнительном исполнении (как P-, так и N-канальный в одном корпусе) для удовлетворения различныx требований к дизайну. Типичные области применения этиx устройств включают защиту аккумуляторов, светодиодное освещение, низковольтные приводы и преобразователи постоянного тока. Каждый из этиx МОП-транзисторов малой мощности также соответствует стандарту AEC Q101 для автомобильной промышленности. учить больше
Технические параметры
| Q(g) | 1.5 nC |
| V(DS) | 30 V |
| Brand: | Infineon Technologies |
| P(tot) | 0.5 W |
| Package | SOT-23 |
| Series: | BSS306 |
| Mounting | SMD |
| Packaging | REEL |
| Pin Count | 3 |
| Automotive | AEC-Q(101) |
| Fall Time: | 1.4 ns |
| Rise Time: | 2.3 ns |
| Technology | OptiMOS2 |
| Logic level | YES |
| RoHS Status | RoHS-conform |
| Technology: | Si |
| Channel Type | P |
| Package Type | SOT-23 |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Configuration | N-CH |
| Manufacturer: | Infineon |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package/Case: | SOT-23-3 |
| Product Type: | MOSFET |
| RDS(on)at 10V | 44 mOhm |
| Configuration: | Single |
| Fast bodydiode | NO |
| Qualification: | AEC-Q101 |
| I(D)at Tc=25°C | 2.3 A |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Part # Aliases: | BSS306N H6327 SP000928940 |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 1.5 nC |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Pd - Power Dissipation: | 500 mW |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Typical Turn-On Delay Time: | 4.4 ns |
| Maximum Drain Source Voltage | 30 V |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 8.3 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 2.3 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Forward Transconductance - Min: | 5 S |
| Maximum Continuous Drain Current | 230 mA |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 57 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 30 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 1.6 V |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 9000 |