BSS225H6327FTSA1, Транзистор: N-MOSFET, полевой, 600В, 0,09А, 1Вт, SOT89
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8062329260
- Артикул
- BSS225H6327FTSA1
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- RoHS
- Details
- Brand
- Infineon Technologies
- V(DS)
- 600 V
- Width
- 2.5 mm
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Описание Транзистор полевой N-MOSFET BSS225H6327FTSA1 от производителя INFINEON представляет собой высоковольтный компонент, оптимизированный для работы в SMD-монтаже. С током стока 0,09 А и напряжением сток-исток до 600 В, этот транзистор обладает мощностью 1 Вт и сопротивлением в открытом состоянии 45 Ом. Корпус SOT89 обеспечивает его надежность и долговечность в различных областях применения. Код товара BSS225H6327FTSA1 важен для точной идентификации и заказа, обратите внимание на его правильное указание как BSS225H6327FTSA1 при покупке для избежания ошибок. Этот компонент идеально подходит для разработки эффективных и компактных электронных устройств. Характеристики Категория Транзистор Тип полевой Вид N-MOSFET Монтаж SMD Ток стока, А 0.09 Напряжение сток-исток, В 600 Мощность, Вт 1 Сопротивление в открытом состоянии, Ом 45 Корпус SOT89
Технические параметры
| RoHS | Details |
| Brand | Infineon Technologies |
| V(DS) | 600 V |
| Width | 2.5 mm |
| Brand: | Infineon Technologies |
| Height | 1.5 mm |
| Length | 4.5 mm |
| P(tot) | 1 W |
| Series | BSS225 |
| Package | SOT-89 |
| Series: | BSS225 |
| Fall Time | 41 ns |
| Packaging | Reel |
| Rise Time | 38 ns |
| Automotive | AEC-Q(101) |
| Fall Time: | 41 ns |
| Rise Time: | 38 ns |
| Technology | Si |
| Вес, г | 0.09 |
| RoHS Status | RoHS-conform |
| Technology: | Si |
| Unit Weight | 0.004603 oz |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Manufacturer | Infineon |
| Package Type | SOT89 |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Configuration | Single |
| Manufacturer: | Infineon |
| Product Type: | MOSFET |
| Qualification | AEC-Q100 |
| RDS(on)at 10V | 45000 mOhm |
| Configuration: | Single |
| Fast bodydiode | NO |
| Mounting Style | SMD/SMT |
| Package / Case | SOT-89-3 |
| Part # Aliases | BSS225 H6327 SP001047644 |
| Qualification: | AEC-Q101 |
| I(D)at Tc=25°C | 0.09 A |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | SOT-89-3 |
| Part # Aliases: | BSS225 H6327 SP001047644 |
| Transistor Type | 1 N-Channel |
| Product Category | MOSFET |
| Qg - Gate Charge | 5.8 nC |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 5.8 nC |
| Number of Channels | 1 Channel |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity | N-Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Factory Pack Quantity | 1000 |
| Pd - Power Dissipation | 1 W |
| Pd - Power Dissipation: | 1 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 20 V |
| Typical Turn-On Delay Time | 14 ns |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Typical Turn-Off Delay Time | 62 ns |
| Typical Turn-On Delay Time: | 14 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 62 ns |
| Id - Continuous Drain Current | 90 mA |
| Maximum Operating Temperature | +150 C |
| Minimum Operating Temperature | -55 C |
| Forward Transconductance - Min | 50 mS |
| Id - Continuous Drain Current: | 90 mA |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Forward Transconductance - Min: | 50 mS |
| Maximum Continuous Drain Current | 90 mA |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 28 Ohms |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 28 Ohms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 600 V |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 600 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | 1.3 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 1.9 V |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 1000 |