BSS Type N-Channel MOSFET, 0.09 A, 600 V Enhancement, 3-Pin SOT-89 BSS225H6327FTSA1
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8030976995
- Артикул
- BSS225H6327FTSA1
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- RoHS
- Details
- Brand
- Infineon Technologies
- V(DS)
- 600 V
- Width
- 2.5 mm
Цена по запросу
(от 68,85 ₽)
Минимальный заказ: 10 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
N-канальный MOSFET-транзистор Infineon работает в режиме усиления. Эти небольшие сигнальные MOSFET-транзисторы идеально подxодят для широкого спектра применений, включая светодиодное освещение, ADA, блоки управления корпусом, SMPS и управление двигателями.
Технические параметры
| RoHS | Details |
| Brand | Infineon Technologies |
| V(DS) | 600 V |
| Width | 2.5 mm |
| Brand: | Infineon Technologies |
| Height | 1.5 mm |
| Length | 4.5 mm |
| P(tot) | 1 W |
| Series | BSS225 |
| Package | SOT-89 |
| Series: | BSS225 |
| Fall Time | 41 ns |
| Packaging | Reel |
| Rise Time | 38 ns |
| Automotive | AEC-Q(101) |
| Fall Time: | 41 ns |
| Rise Time: | 38 ns |
| Technology | Si |
| Вес, г | 1 |
| RoHS Status | RoHS-conform |
| Technology: | Si |
| Unit Weight | 0.004603 oz |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Manufacturer | Infineon |
| Package Type | SOT89 |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Корпус | sot-89 |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Configuration | Single |
| Manufacturer: | Infineon |
| Product Type: | MOSFET |
| Qualification | AEC-Q100 |
| RDS(on)at 10V | 45000 mOhm |
| Configuration: | Single |
| Fast bodydiode | NO |
| Mounting Style | SMD/SMT |
| Package / Case | SOT-89-3 |
| Part # Aliases | BSS225 H6327 SP001047644 |
| Qualification: | AEC-Q101 |
| I(D)at Tc=25°C | 0.09 A |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | SOT-89-3 |
| Part # Aliases: | BSS225 H6327 SP001047644 |
| Transistor Type | 1 N-Channel |
| Product Category | MOSFET |
| Qg - Gate Charge | 5.8 nC |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 5.8 nC |
| Number of Channels | 1 Channel |
| Структура | N-Channel |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity | N-Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Factory Pack Quantity | 1000 |
| Pd - Power Dissipation | 1 W |
| Особенности | Enhancement Mode |
| Pd - Power Dissipation: | 1 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 20 V |
| Typical Turn-On Delay Time | 14 ns |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Typical Turn-Off Delay Time | 62 ns |
| Typical Turn-On Delay Time: | 14 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 62 ns |
| Id - Continuous Drain Current | 90 mA |
| Maximum Operating Temperature | +150 C |
| Minimum Operating Temperature | -55 C |
| Forward Transconductance - Min | 50 mS |
| Id - Continuous Drain Current: | 90 mA |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Forward Transconductance - Min: | 50 mS |
| Maximum Continuous Drain Current | 90 mA |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 28 Ohms |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 28 Ohms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 600 V |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 600 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | 1.3 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 1.9 V |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 1000 |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 600 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 0.09 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 1 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 28 Ом |