BSS223PWH6327XTSA1,Power MOSFET, P Channel, 20 V, 390 mA, 0.7 ohm, SOT-323, Surface Mount
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8855697362
- Артикул
- BSS223PWH6327XTSA1
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- ECCN
- EAR99
- HTSUS
- 8541.21.0095
- Width
- 1.25mm
- Series
- OptiMOSв„ў ->
Цена по запросу
(от 26 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
МОП-транзистор P-Ch -20V -390mA SOT-323-3
Технические параметры
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS | 8541.21.0095 |
| Width | 1.25mm |
| Series | OptiMOSв„ў -> |
| Package | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ® |
| FET Type | P-Channel |
| Pin Count | 3 |
| Vgs (Max) | В±12V |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Вес, г | 0.01 |
| Длина | 2 mm |
| Серия | BSS223 |
| RoHS Status | ROHS3 Compliant |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | P |
| Package Type | SOT-323 |
| REACH Status | REACH Unaffected |
| Высота | 0.9 mm |
| Корпус | sot-323 |
| Ширина | 1.25 mm |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | SC-70, SOT-323 |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.2V @ 1.5ВµA |
| Структура | P-Channel |
| Base Product Number | BSS223 -> |
| Transistor Material | Si |
| Технология | Si |
| Operating Temperature | -55В°C ~ 150В°C (TJ) |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Время спада | 3.2 ns |
| Power Dissipation (Pd) | 250mW |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.2Ohm @ 390mA, 4.5V |
| Особенности | - |
| Power Dissipation (Max) | 250mW (Ta) |
| Supplier Device Package | PG-SOT323-3 |
| Тип продукта | MOSFET |
| Transistor Configuration | Single |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Maximum Power Dissipation | 250 mW |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 0.5 nC @ 4.5 V |
| Total Gate Charge (Qg@Vgs) | 620pC@4.5V |
| Maximum Gate Source Voltage | -12 V, +12 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Торговая марка | Infineon Technologies |
| Упаковка / блок | SOT-323-3 |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 0.62nC @ 4.5V |
| Input Capacitance (Ciss@Vds) | 56pF@15V |
| Maximum Drain Source Voltage | 20 V |
| Continuous Drain Current (Id) | 390mA |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Канальный режим | Enhancement |
| Тип транзистора | 1 P-Channel |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 1.2V |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 0.6V |
| Qg - заряд затвора | 0.5 nC |
| Maximum Drain Source Resistance | 2.1 Ω |
| Время нарастания | 5 ns |
| Maximum Continuous Drain Current | 310 mA |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 56pF @ 15V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 2.5V, 4.5V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C | 390mA (Ta) |
| Полярность транзистора | P-Channel |
| Pd - рассеивание мощности | 250 mW |
| Другие названия товара № | BSS223PW H6327 SP000843010 |
| Id - непрерывный ток утечки | 390 mA |
| Размер фабричной упаковки | 3000 |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 12 V, + 12 V |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 700 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 20 V |
| Пороговое напряжение на затворе | 1.2V@1.5uA |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Типичное время задержки выключения | 5.1 ns |
| Типичное время задержки при включении | 3.8 ns |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 1.2 V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 20 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 0.39 |
| Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 0.35 S |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 0.25 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 1.2Ω@390mA, 4.5V |