BSS214NWH6327XTSA1, Транзистор: N-MOSFET, полевой, 20В, 1,5А, 0,5Вт, SOT323
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8017536897
- Артикул
- BSS214NWH6327XTSA1
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- ECCN
- EAR99
- HTSUS
- 8541.21.0095
- Width
- 1.25mm
- Series
- OptiMOSв„ў ->
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Описание Полевой транзистор N-MOSFET BSS214NWH6327XTSA1 от INFINEON представляет собой высококачественный компонент для современной электроники. Оснащенный корпусом SOT323 для SMD монтажа, этот транзистор обладает током стока 1,5 А, напряжением сток-исток 20 В и мощностью 0,5 Вт. Сопротивление в открытом состоянии составляет всего 0,25 Ом, что обеспечивает его высокую эффективность и надежность в работе. Транзистор BSS214NWH6327XTSA1 идеально подходит для широкого круга областей применения, от силовой электроники до высокочастотных устройств. Его уникальный код BSS214NWH6327XTSA1, без пробелов и специальных символов, гарантирует легкость идентификации и заказа для производителей и разработчиков. Характеристики Категория Транзистор Тип полевой Вид N-MOSFET Монтаж SMD Ток стока, А 1.5 Напряжение сток-исток, В 20 Мощность, Вт 0.5 Сопротивление в открытом состоянии, Ом 0.25 Корпус SOT323
Технические параметры
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS | 8541.21.0095 |
| Width | 1.25mm |
| Series | OptiMOSв„ў -> |
| Вид | N-MOSFET |
| Тип | полевой |
| Package | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ® |
| FET Type | N-Channel |
| Pin Count | 3 |
| Vgs (Max) | В±12V |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Вес, г | 0.02 |
| RoHS Status | ROHS3 Compliant |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Package Type | SOT-323 |
| REACH Status | REACH Unaffected |
| Корпус | SOT323 |
| Монтаж | SMD |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | SC-70, SOT-323 |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.2V @ 3.7ВµA |
| Структура | MOSFET |
| Base Product Number | BSS214 -> |
| Transistor Material | Si |
| Transistor Polarity | N Channel; Continuous Drain Current Id |
| Operating Temperature | -55В°C ~ 150В°C (TJ) |
| Ток стока, А | 1.5 |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 140mOhm @ 1.5A, 4.5V |
| Мощность, Вт | 0.5 |
| Особенности | - |
| Power Dissipation (Max) | 500mW (Ta) |
| Supplier Device Package | PG-SOT323-3 |
| Transistor Configuration | Single |
| Maximum Power Dissipation | 500 mW |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 0.8 nC @ 5 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -12 V, +12 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 0.8nC @ 5V |
| Maximum Drain Source Voltage | 20 V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 1.2V |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 0.7V |
| Maximum Drain Source Resistance | 250 mΩ |
| Maximum Continuous Drain Current | 1.5 A |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 143pF @ 10V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 2.5V, 4.5V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C | 1.5A (Ta) |
| Напряжение сток-исток, В | 20 |
| Пороговое напряжение на затворе | 1…2.5 В |
| Сопротивление в открытом состоянии, Ом | 0.25 |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 20 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 1.5 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 0.5 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |