Моя заявка (0)
BSS214NH6327XTSA1, MOSFETs N-Ch 20V 1.5A SOT-23-3

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8005505109
Артикул
BSS214NH6327XTSA1
Бренд
INFINEON TECHNOLOGIES AG.
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Series
OptiMOSв„ў ->
Package
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®
Цена по запросу
(от 25,58 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Описание Транзистор полевой N-MOSFET BSS214NH6327XTSA1 от производителя INFINEON является высококачественным компонентом для SMD монтажа. Этот полевой транзистор обладает током стока 1,5 А, напряжением сток-исток 20 В и мощностью 0,5 Вт. Сопротивление в открытом состоянии составляет всего 0,25 Ом, что гарантирует высокую эффективность при низких потерях мощности. Компактный корпус SOT23 обеспечивает легкость интеграции в различные схемы. Модель BSS214NH6327XTSA1 благодаря своим характеристикам находит широкую область применения в разработке маломощной электроники, где требуется надёжное управление током. Уникальный код товара BSS214NH6327XTSA1 без пробелов и специальных символов: BSS214NH6327XTSA1, упрощает поиск и заказ данного компонента в нашем интернет-магазине. Характеристики Категория Транзистор Тип полевой Вид N-MOSFET Монтаж SMD Ток стока, А 1.5 Напряжение сток-исток, В 20 Мощность, Вт 0.5 Сопротивление в открытом состоянии, Ом 0.25 Корпус SOT23

Технические параметры

ECCNEAR99
HTSUS8541.21.0095
SeriesOptiMOSв„ў ->
PackageTape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®
FET TypeN-Channel
Vgs (Max)В±12V
TechnologyMOSFET (Metal Oxide)
Вес, г5
Длина2.9 mm
СерияBSS214
RoHS StatusROHS3 Compliant
REACH StatusREACH Unaffected
Высота1.1 mm
КорпусSOT-23-3
Ширина1.3 mm
Mounting TypeSurface Mount
Package / CaseTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Vgs(th) (Max) @ Id1.2V @ 3.7ВµA
СтруктураN-Channel
Base Product NumberBSS214 ->
ТехнологияSi
Operating Temperature-55В°C ~ 150В°C (TJ)
Вид монтажаSMD/SMT
Время спада1.4 ns
Rds On (Max) @ Id, Vgs140mOhm @ 1.5A, 4.5V
Особенности-
Power Dissipation (Max)500mW (Ta)
Supplier Device PackageSOT-23-3
Тип продуктаMOSFET
КвалификацияAEC-Q101
КонфигурацияSingle
ПодкатегорияMOSFETs
Торговая маркаInfineon Technologies
Упаковка / блокSOT-23-3
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs0.8nC @ 5V
Канальный режимEnhancement
Тип транзистора1 N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss)20V
Qg - заряд затвора0.8 nC
Время нарастания7.8 ns
Moisture Sensitivity Level (MSL)1 (Unlimited)
Категория продуктаМОП-транзистор
Количество каналов1 Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds143pF @ 10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)2.5V, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C1.5A (Ta)
Полярность транзистораN-Channel
Pd - рассеивание мощности500 mW
Другие названия товара №BSS214N H6327 SP000928936
Id - непрерывный ток утечки1.5 A
Размер фабричной упаковки3000
Vgs - напряжение затвор-исток12 V, + 12 V
Rds Вкл - сопротивление сток-исток140 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток20 V
Пороговое напряжение на затворе-
Минимальная рабочая температура55 C
Максимальная рабочая температура+ 150 C
Типичное время задержки выключения6.8 ns
Типичное время задержки при включении4.1 ns
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток950 mV
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В20
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А1.5
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.4 S
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт0.5
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В

Техническая документация