BSS209PWH6327XTSA1, Транзистор: P-MOSFET, полевой, -20В, -0,63А, 0,3Вт, PG-SOT-323
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8003174528
- Артикул
- BSS209PWH6327XTSA1
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- V(DS)
- 20 V
- P(tot)
- 0.52 W
- RDS-on
- 550@4.5V mOhm
- Package
- SOT-323
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Описание Транзистор полевой BSS209PWH6327XTSA1 производства INFINEON отличается высоким качеством и надежностью. Модель выполнена в SMD-корпусе PG-SOT-323, что делает ее идеальным вариантом для миниатюризированных электронных схем. С током стока 0,63 А и напряжением сток-исток 20 В, данный N-MOSFET транзистор способен обеспечить оптимальную работу в широком диапазоне областей применения. Мощность устройства составляет 0,3 Вт, а сопротивление в открытом состоянии — всего 0,55 Ом, обеспечивая высокую эффективность при минимальных потерях энергии. Код товара BSS209PWH6327XTSA1 вновь подчеркивает уникальность и качество продукции INFINEON, делая его предпочтительным выбором для разработчиков и инженеров. Характеристики Категория Транзистор Тип полевой Вид N-MOSFET Монтаж SMD Ток стока, А 0.63 Напряжение сток-исток, В 20 Мощность, Вт 0.3 Сопротивление в открытом состоянии, Ом 0.55 Корпус PG-SOT-323
Технические параметры
| V(DS) | 20 V |
| P(tot) | 0.52 W |
| RDS-on | 550@4.5V mOhm |
| Package | SOT-323 |
| Mounting | Surface Mount |
| Packaging | REEL |
| Pin Count | 3 |
| Automotive | NO |
| Вес, г | 0.03 |
| RoHS Status | RoHS-conform |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | P |
| Package Type | SOT-323 |
| Корпус | sot-323 |
| Configuration | P-CH |
| Mounting Type | Surface Mount |
| RDS(on)at 10V | 550 mOhm |
| Fast bodydiode | NO |
| I(D)at Tc=25°C | 0.58 A |
| Screening Level | Automotive |
| Typical Fall Time | 4.6 ns |
| Typical Rise Time | 7 ns |
| Структура | MOSFET |
| Max Processing Temp | 260 |
| Operating Temperature | -55 to 150 °C |
| Особенности | однопереходный |
| Typical Turn-On Delay Time | 26 ns |
| Maximum Gate Source Voltage | ±12 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Typical Turn-Off Delay Time | 6 ns |
| Maximum Drain Source Voltage | 20 V |
| Maximum Continuous Drain Current | 630 mA |
| Пороговое напряжение на затворе | 1.2V@1.5uA |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 0.3 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 0.63 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 0.3 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 1.2Ω@390mA, 4.5V |