BSS205NH6327XTSA1, Транзистор: N-MOSFET, полевой, 20В, 2,5А, 0,5Вт, SOT23
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8043236910
- Артикул
- BSS205NH6327XTSA1
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- ECCN
- EAR99
- RoHS
- Details
- Brand
- Infineon Technologies
- HTSUS
- 8541.21.0095
Цена по запросу
(от 16 ₽)
Минимальный заказ: 100 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Семейство N-канальныx устройств Infineon OptiMOS™2 обладает самым низким в отрасли сопротивлением при включении в своей группе напряжений.
Технические параметры
| ECCN | EAR99 |
| RoHS | Details |
| Brand | Infineon Technologies |
| HTSUS | 8541.21.0095 |
| Width | 1.3 mm |
| Height | 1.1 mm |
| Length | 2.9 mm |
| Series | OptiMOSв„ў -> |
| Package | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ® |
| FET Type | N-Channel |
| Fall Time | 2.4 ns |
| Packaging | Reel |
| Pin Count | 3 |
| Rise Time | 2.9 ns |
| Vgs (Max) | В±12V |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Вес, г | 0.03 |
| RoHS Status | ROHS3 Compliant |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N Channel |
| Manufacturer | Infineon |
| Package Type | SOT-23 |
| REACH Status | REACH Unaffected |
| Configuration | 1 N-Channel |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Mounting Style | SMD/SMT |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Part # Aliases | BSS205N BSS205NH6327XT H6327 SP000929180 |
| Transistor Type | 1 N-Channel |
| Product Category | MOSFET |
| Qg - Gate Charge | 3.2 nC |
| Power Dissipation | 500мВт |
| Number of Channels | 1 Channel |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.2V @ 11ВµA |
| Base Product Number | BSS205 -> |
| Transistor Material | Si |
| Transistor Polarity | N-Channel |
| Factory Pack Quantity | 9000 |
| Forward Diode Voltage | 1.1V |
| Operating Temperature | -55В°C ~ 150В°C (TJ) |
| Pd - Power Dissipation | 500 mW |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 50mOhm @ 2.5A, 4.5V |
| Power Dissipation (Max) | 500mW (Ta) |
| Supplier Device Package | SOT-23-3 |
| Transistor Configuration | Single |
| Maximum Power Dissipation | 500 mW |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 2.1 nC @ 4.5 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 12 V |
| Typical Turn-On Delay Time | 5.8 ns |
| Maximum Gate Source Voltage | -12 V, +12 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Typical Turn-Off Delay Time | 11 ns |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 3.2nC @ 4.5V |
| Maximum Drain Source Voltage | 20 V |
| Id - Continuous Drain Current | 2.5 A |
| Maximum Operating Temperature | +150 C |
| Minimum Operating Temperature | -55 C |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
| Forward Transconductance - Min | 8.5 S |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 1.2V |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 0.7V |
| Maximum Drain Source Resistance | 85 mΩ |
| Drain Source On State Resistance | 0.04Ом |
| Maximum Continuous Drain Current | 2.5 A |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 40 mOhms |
| Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
| Монтаж транзистора | Surface Mount |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 419pF @ 10V |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 20 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 2.5V, 4.5V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | 700 mV |
| Непрерывный Ток Стока | 2.5А |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C | 2.5A (Ta) |
| Рассеиваемая Мощность | 500мВт |
| Полярность Транзистора | N Канал |
| Пороговое Напряжение Vgs | 950мВ |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 4.5В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 20В |
| Стиль Корпуса Транзистора | SOT-23 |
| Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
| Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.04Ом |