BSS192PH6327FTSA1, Транзистор: P-MOSFET, полевой, -250В, -0,19А, 1Вт, PG-SOT89
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8064269021
- Артикул
- BSS192PH6327FTSA1
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- RoHS
- Details
- Brand
- Infineon Technologies
- Width
- 2.5 mm
- Height
- 1.5 mm
Цена по запросу
(от 44 ₽)
Минимальный заказ: 1000 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Малосигнальные P-канальные МОП-транзисторы Infineon SIPMOS® обладают рядом функций, которые могут включать режим усиления, постоянный ток разряда, иногда достигающий -80 А, а также широкий диапазон рабочиx температур.
Технические параметры
| RoHS | Details |
| Brand | Infineon Technologies |
| Width | 2.5 mm |
| Height | 1.5 mm |
| Length | 4.5 mm |
| Series | BSS192 |
| Fall Time | 50 ns |
| Packaging | Reel |
| Pin Count | 3 |
| Rise Time | 5.2 ns |
| Technology | Si |
| Вес, г | 0.08 |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | P |
| Manufacturer | Infineon |
| Package Type | SOT-89 |
| Configuration | 1 P-Channel |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Mounting Style | SMD/SMT |
| Package / Case | SOT-89-3 |
| Part # Aliases | BSS192PH6327FTSA1 BSS192PH6327XTSA1 SP001195030 |
| Transistor Type | 1 P-Channel |
| Product Category | MOSFET |
| Qg - Gate Charge | -6.1 nC |
| Number of Channels | 1 Channel |
| Transistor Material | Si |
| Transistor Polarity | P-Channel |
| Factory Pack Quantity | 1000 |
| Pd - Power Dissipation | 1 W |
| Transistor Configuration | Single |
| Maximum Power Dissipation | 1 W |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 4.9 nC @ 10 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage | +/-20 V |
| Typical Turn-On Delay Time | 4.7 ns |
| Maximum Gate Source Voltage | -20 V, +20 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Typical Turn-Off Delay Time | 72 ns |
| Maximum Drain Source Voltage | 250 V |
| Id - Continuous Drain Current | -190 mA |
| Maximum Operating Temperature | +150 C |
| Minimum Operating Temperature | -55 C |
| Forward Transconductance - Min | 190 mS |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 2V |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 1V |
| Maximum Drain Source Resistance | 20 Ω |
| Maximum Continuous Drain Current | 190 mA |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 7.7 Ohms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | -250 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | -2 V |