BSS159NH6327XTSA2, Транзистор: N-MOSFET, полевой, 60В, 0,23А, 0,36Вт, SOT23
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8070189250
- Артикул
- BSS159NH6327XTSA2
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Q(g)
- 1.4 nC
- RoHS
- Details
- Brand
- Infineon Technologies
- Grade
- Automotive
Цена по запросу
(от 30,68 ₽)
Минимальный заказ: 100 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
МОП-транзистор N-Ch 60V 230mA SOT-23-3
Технические параметры
| Q(g) | 1.4 nC |
| RoHS | Details |
| Brand | Infineon Technologies |
| Grade | Automotive |
| V(DS) | 60 V |
| Width | 1.3 mm |
| Height | 1.1 mm |
| Length | 2.9 mm |
| P(tot) | 0.36 W |
| Series | BSS159 |
| Package | SOT-23 |
| FET Type | N-Channel |
| Mounting | SMD |
| Fall Time | 9 ns |
| Packaging | Reel |
| Rise Time | 2.9 ns |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Automotive | AEC-Q(101) |
| Technology | Si |
| Вес, г | 0.03 |
| Длина | 2.9 mm |
| Серия | BSS159 |
| FET Feature | Depletion Mode |
| Logic level | NO |
| RoHS Status | RoHS-conform |
| Channel Mode | Depletion |
| Manufacturer | Infineon |
| Высота | 1.1 mm |
| Ширина | 1.3 mm |
| Configuration | Single |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Qualification | AEC-Q101 |
| RDS(on)at 10V | 8000 mOhm |
| Fast bodydiode | NO |
| Mounting Style | SMD/SMT |
| Package / Case | SOT-23-3 |
| Part # Aliases | BSS159N BSS159NH6327XT H6327 SP000919328 |
| I(D)at Tc=25°C | 0.13 A |
| Transistor Type | 1 N-Channel |
| Product Category | MOSFET |
| Qg - Gate Charge | 1.4 nC |
| Number of Channels | 1 Channel |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.4V @ 26µA |
| Transistor Polarity | N Channel |
| Технология | Si |
| Factory Pack Quantity | 6000 |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C(TJ) |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Время спада | 9 ns |
| Pd - Power Dissipation | 360 mW |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.5Ohm @ 160mA, 10V |
| Power Dissipation (Max) | 360mW(Ta) |
| Supplier Device Package | PG-SOT23 |
| Тип продукта | MOSFET |
| Квалификация | AEC-Q101 |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 2.4V @ 26uA |
| Typical Turn-On Delay Time | 3.1 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time | 9 ns |
| Торговая марка | Infineon Technologies |
| Упаковка / блок | PG-SOT-23-3 |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 1.4 nC @ 5 V |
| Id - Continuous Drain Current | 230 mA |
| Maximum Operating Temperature | +150 C |
| Minimum Operating Temperature | -55 C |
| Канальный режим | Depletion |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
| Forward Transconductance - Min | 100 mS |
| Qg - заряд затвора | 1.4 nC |
| Время нарастания | 2.9 ns |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 3.5О© @ 160mA,10V |
| Power Dissipation-Max (Ta=25В°C) | 360mW |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 39 pF @ 25 V |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 60V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 0V, 10V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | -3.5 V |
| Continuous Drain Current (Id) @ 25В°C | 230mA |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 230mA(Ta) |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Pd - рассеивание мощности | 360 mW |
| Другие названия товара № | BSS159N BSS159NH6327XT H6327 SP000919328 |
| Id - непрерывный ток утечки | 230 mA |
| Размер фабричной упаковки | 3000 |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 10 V |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 3.5 Ohms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 60 V |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Типичное время задержки выключения | 9 ns |
| Типичное время задержки при включении | 3.1 ns |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 3.5 V |
| Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 100 mS |