BSS159N-VB, SOT23 MOSFETs
нет фото
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8025033146
- Артикул
- BSS159N-VB
- Бренд
- Vbsemi Electronics Co., Ltd.
- Вес, г
- 0.03
- Корпус
- sot23
- Структура
- MOSFET
- Power Dissipation (Pd)
- 300mW
Цена по запросу
(от 21 ₽)
Минимальный заказ: 10 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Технические параметры
| Вес, г | 0.03 |
| Корпус | sot23 |
| Структура | MOSFET |
| Power Dissipation (Pd) | 300mW |
| Особенности | - |
| Total Gate Charge (Qg@Vgs) | 400pC@4.5V |
| Input Capacitance (Ciss@Vds) | 25pF@25V |
| Continuous Drain Current (Id) | 250mA |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | 2pF@25V |
| Пороговое напряжение на затворе | 2.5V@250uA |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 60 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 0.3 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 2.8Ω@10V, 200mA |