Моя заявка (0)

BSS139H6327XTSA1, МОП-транзисторы низкого напряжения \\- МОП-транзис

BSS139H6327XTSA1, МОП-транзисторы низкого напряжения \\- МОП-транзис

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8023129869
Артикул
BSS139H6327XTSA1
Бренд
INFINEON TECHNOLOGIES AG.
ECCN
EAR99
RoHS
Details
Brand
Infineon Technologies
HTSUS
8541.21.0095
Цена по запросу
(от 55 ₽)
Минимальный заказ: 100 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Описание Транзистор полевой BSS139H6327XTSA1 от производителя INFINEON – это высококачественный N-MOSFET компонент, предназначенный для монтажа на поверхность (SMD). Он обладает током стока 0,1 А и напряжением сток-исток 250 В, что обеспечивает его широкое применение в различных электронных схемах. С мощностью 0,36 Вт и сопротивлением в открытом состоянии 30 Ом, этот транзистор гарантирует надежную работу и долговечность. Корпус SOT23 обеспечивает компактность компонента, что делает его идеальным выбором для миниатюризированных устройств. Используя BSS139H6327XTSA1 в своих проектах, вы получите высокую эффективность и стабильность в работе. Характеристики Категория Транзистор Тип полевой Вид N-MOSFET Монтаж SMD Ток стока, А 0.1 Напряжение сток-исток, В 250 Мощность, Вт 0.36 Сопротивление в открытом состоянии, Ом 30 Корпус SOT23

Технические параметры

ECCNEAR99
RoHSDetails
BrandInfineon Technologies
HTSUS8541.21.0095
Width1.3 mm
Height1.1 mm
Length2.9 mm
SeriesSIPMOSВ® ->
PackageTape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®
FET TypeN-Channel
Fall Time182 ns
PackagingReel
Pin Count3
Rise Time5.4 ns
Vgs (Max)В±20V
TechnologyMOSFET (Metal Oxide)
Вес, г0.03
Длина2.9 mm
FET FeatureDepletion Mode
RoHS StatusROHS3 Compliant
Channel ModeDepletion
Channel TypeN
ManufacturerInfineon
Package TypeSOT-23
REACH StatusREACH Unaffected
Высота1.1 mm
Ширина1.3 mm
Configuration1 N-Channel
Mounting TypeSurface Mount
Mounting StyleSMD/SMT
Package / CaseTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Part # AliasesBSS139 BSS139H6327XT H6327 SP000702610
Transistor Type1 N-Channel
Product CategoryMOSFET
Qg - Gate Charge3.5 nC
Number of Channels1 Channel
Vgs(th) (Max) @ Id1V @ 56ВµA
СтруктураМОП-транзистор
Base Product NumberBSS139 ->
Transistor PolarityN-Channel
ТехнологияSi
Factory Pack Quantity6000
Operating Temperature-55В°C ~ 150В°C (TJ)
Вид монтажаSMD/SMT
Время спада182 ns
Pd - Power Dissipation360 mW
Rds On (Max) @ Id, Vgs14Ohm @ 100ВµA, 10V
Особенности-
Power Dissipation (Max)360mW (Ta)
Supplier Device PackageSOT-23-3
Тип продуктаMOSFET
КвалификацияAEC-Q101
КонфигурацияSingle
ПодкатегорияMOSFETs
Vgs - Gate-Source Voltage20 V
Typical Turn-On Delay Time5.8 ns
Number of Elements per Chip1
Typical Turn-Off Delay Time29 ns
Торговая маркаInfineon Technologies
Упаковка / блокPG-SOT-23-3
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs3.5nC @ 5V
Maximum Drain Source Voltage250 V
Id - Continuous Drain Current100 mA
Maximum Operating Temperature+150 C
Minimum Operating Temperature-55 C
Канальный режимDepletion
Тип транзистора1 N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss)250V
Forward Transconductance - Min60 mS
Qg - заряд затвора2.3 nC
Время нарастания5.4 ns
Maximum Continuous Drain Current100 mA
Moisture Sensitivity Level (MSL)1 (Unlimited)
Rds On - Drain-Source Resistance7.8 Ohms
Категория продуктаМОП-транзистор
Количество каналов1 Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds76pF @ 25V
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage250 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)0V, 10V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage-2.1 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C100mA (Ta)
Полярность транзистораN-Channel
Pd - рассеивание мощности360 mW
Другие названия товара №BSS139 BSS139H6327XT H6327 SP000702610
Id - непрерывный ток утечки100 mA
Размер фабричной упаковки3000
Vgs - напряжение затвор-исток10 V
Rds Вкл - сопротивление сток-исток14 Ohms
Vds - напряжение пробоя сток-исток250 V
Минимальная рабочая температура55 C
Максимальная рабочая температура+ 150 C
Типичное время задержки выключения29 ns
Типичное время задержки при включении5.8 ns
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток2.1 V
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.60 mS
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт0.36
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)7.8 Ом

Техническая документация