Моя заявка (0)

BSS138WH6433XTMA1,Power MOSFET, N Channel, 60 V, 280 mA, 2.1 ohm, SOT-323, Surface Mount

BSS138WH6433XTMA1,Power MOSFET, N Channel, 60 V, 280 mA, 2.1 ohm, SOT-323, Surface Mount

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8000087808
Артикул
BSS138WH6433XTMA1
Бренд
INFINEON TECHNOLOGIES AG.
Brand:
Infineon Technologies
Вес, г
0.1
Technology:
Si
Subcategory:
MOSFETs
Цена по запросу
(от 53 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Системы автоматического открывания Infineon Системы автоматического открывания Infineon включают в себя интеллектуальные датчики, средства управления двигателем, расxодные материалы и управление аккумуляторами для автоматизации раздвижныx, распашныx или гаражныx ворот, солнцезащитныx жалюзи и калиток. Будучи автоматизированными, эти двери управляют действиями по открыванию, предотвращают непреднамеренное открывание, контролируют скорость и крутящий момент, обнаруживают объекты на пути движения, а также выполняют другие функции.

Технические параметры

Brand:Infineon Technologies
Вес, г0.1
Technology:Si
Subcategory:MOSFETs
Корпусsot-323
Channel Mode:Enhancement
Manufacturer:Infineon
Package/Case:SOT-323-3
Product Type:MOSFET
Configuration:Single
Qualification:AEC-Q101
Mounting Style:SMD/SMT
Part # Aliases:BSS138W H6433 SP000917558
Transistor Type:1 N-Channel
Product Category:MOSFET
Qg - Gate Charge:1.5 nC
СтруктураN-Channel
Number of Channels:1 Channel
Transistor Polarity:N-Channel
Factory Pack Quantity:10000
Особенности-
Pd - Power Dissipation:500 mW
Vgs - Gate-Source Voltage:-20 V, +20 V
Id - Continuous Drain Current:280 mA
Maximum Operating Temperature:+150 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Rds On - Drain-Source Resistance:3.5 Ohms
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:60 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:600 mV
Пороговое напряжение на затворе0.8…1.5 В
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В60
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А0.28
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт0.5
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)2.1 Ом

Техническая документация