Моя заявка (0)

N-Channel MOSFET, 280 mA, 60 V, 3-Pin SOT-323 BSS138WH6327XTSA1

N-Channel MOSFET, 280 mA, 60 V, 3-Pin SOT-323 BSS138WH6327XTSA1

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8015537120
Артикул
BSS138WH6327XTSA1
Бренд
INFINEON TECHNOLOGIES AG.
V(DS)
60 V
Brand:
Infineon Technologies
P(tot)
0.36 W
Package
SOT-323
Цена по запросу
(от 17 ₽)
Минимальный заказ: 3000 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Описание Транзистор полевой BSS138WH6327XTSA1 от INFINEON - это надежный N-MOSFET компонент, предназначенный для поверхностного монтажа (SMD) в корпусе SOT323. Он обладает током стока 0,28 А и напряжением сток-исток 60 В, что обеспечивает стабильную работу в различных электронных схемах. Мощность устройства составляет 0,5 Вт, а сопротивление в открытом состоянии - всего 3,5 Ом, что свидетельствует о высокой эффективности и минимальных потерях энергии при работе. Этот транзистор идеален для использования в компактных устройствах, где требуется надежный контроль над током. Код товара BSS138WH6327XTSA1, прочно зарекомендовал себя на рынке как качественный компонент от известного производителя полупроводниковой продукции. Характеристики Категория Транзистор Тип полевой Вид N-MOSFET Монтаж SMD Ток стока, А 0.28 Напряжение сток-исток, В 60 Мощность, Вт 0.5 Сопротивление в открытом состоянии, Ом 3.5 Корпус SOT323

Технические параметры

V(DS)60 V
Brand:Infineon Technologies
P(tot)0.36 W
PackageSOT-323
Series:BSS138
PackagingREEL
Pin Count3
AutomotiveAEC-Q(101)
Fall Time:8.2 ns
Rise Time:3 ns
Вес, г1
RoHS StatusRoHS-conform
Technology:Si
Channel TypeN
Package TypeSOT-323
Subcategory:MOSFETs
Корпусsot-323
Channel Mode:Enhancement
ConfigurationN-CH
Manufacturer:Infineon
Mounting TypeSurface Mount
Product Type:MOSFET
RDS(on)at 10V3500 mOhm
Configuration:Single
Fast bodydiodeNO
Qualification:AEC-Q101
I(D)at Tc=25°C0.28 A
Mounting Style:SMD/SMT
Package / Case:SOT-323-3
Part # Aliases:BSS138W H6327 SP000924068
Product Category:MOSFET
Qg - Gate Charge:1 nC
СтруктураN-Channel
Number of Channels:1 Channel
Transistor Polarity:N-Channel
Особенности-
Pd - Power Dissipation:500 mW
Number of Elements per Chip1
Typical Turn-On Delay Time:2.2 ns
Maximum Drain Source Voltage60 V
Typical Turn-Off Delay Time:6.7 ns
Id - Continuous Drain Current:280 mA
Maximum Operating Temperature:+150 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Forward Transconductance - Min:0.12 S
Maximum Continuous Drain Current280 mA
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:1 V
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity:3000
Пороговое напряжение на затворе0.8…1.5 В
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В60
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А0.28
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт0.5
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В

Техническая документация