BSS138W-TP, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 50В; 0,22А; 0,3Вт; SOT323

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8017547859
- Артикул
- BSS138W-TP
- Бренд
- Micro Commercial Components Corp. (MCC)
- Case
- SOT323
- Brand:
- Micro Commercial Components(MCC)
- Series:
- N-Ch Polarity
- FET Type
- N-Channel
Цена по запросу
(от 7,89 ₽)
Минимальный заказ: 20 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
N-канальные МОП-транзисторы Микрокомпоненты (MCC) N-канальные МОП-транзисторы средней мощности и малой мощности сигнала имеют низкое сопротивление при включении (RDS) в диапазоне от 0,012 Ом до 8 Ом и высокое напряжение до 800 В. Эти прочные и надежные МОП-транзисторы доступны в широком ассортименте корпусов для поверxностного монтажа, включая SOT, DFN, SOP и Dpak. N-канальные МОП-транзисторы MCC N-канальные МОП-транзисторы средней мощности и малого сигнала имеют диапазон рабочиx температур от -55°C до 150°C или 175°C.
Технические параметры
| Case | SOT323 |
| Brand: | Micro Commercial Components(MCC) |
| Series: | N-Ch Polarity |
| FET Type | N-Channel |
| Mounting | SMD |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Fall Time: | 14 ns |
| Rise Time: | 18 ns |
| Technology | MOSFET(Metal Oxide) |
| Вес, г | 0.03 |
| Technology: | Si |
| Polarisation | unipolar |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Корпус | sot-323 |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Drain current | 0.22A |
| Manufacturer: | Micro Commercial Components(MCC) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Package / Case | SC-70, SOT-323 |
| Kind of channel | enhanced |
| Kind of package | reel, tape |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | SOT-323-3 |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Power dissipation | 0.3W |
| Product Category: | MOSFET |
| Type of transistor | N-MOSFET |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.5V @ 1mA |
| Структура | MOSFET |
| Gate-source voltage | ±20V |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| On-state resistance | 6Ω |
| Drain-source voltage | 50V |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Operating Temperature | -55°C ~ 155°C(TJ) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.5Ohm @ 220mA, 10V |
| Особенности | однопереходный |
| Pd - Power Dissipation: | 300 mW |
| Power Dissipation (Max) | 300mW(Ta) |
| Supplier Device Package | SOT-323 |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 5 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 36 ns |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 50 V |
| Id - Continuous Drain Current: | 220 mA |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Forward Transconductance - Min: | 120 mS |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 3.5 Ohms |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 27 pF @ 25 V |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 50 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 220mA(Ta) |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 800 mV |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 3000 |
| Крутизна характеристики, S | - |
| Пороговое напряжение на затворе | 0.8…1.5 В |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 50 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 0.22 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 0.3 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20 |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 3.5 Ом/0.22А, 10В |