Моя заявка (0)

BSS138W-TP, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 50В; 0,22А; 0,3Вт; SOT323

BSS138W-TP, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 50В; 0,22А; 0,3Вт; SOT323

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8017547859
Артикул
BSS138W-TP
Бренд
Micro Commercial Components Corp. (MCC)
Case
SOT323
Brand:
Micro Commercial Components(MCC)
Series:
N-Ch Polarity
FET Type
N-Channel
Цена по запросу
(от 7,89 ₽)
Минимальный заказ: 20 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

N-канальные МОП-транзисторы Микрокомпоненты (MCC) N-канальные МОП-транзисторы средней мощности и малой мощности сигнала имеют низкое сопротивление при включении (RDS) в диапазоне от 0,012 Ом до 8 Ом и высокое напряжение до 800 В. Эти прочные и надежные МОП-транзисторы доступны в широком ассортименте корпусов для поверxностного монтажа, включая SOT, DFN, SOP и Dpak. N-канальные МОП-транзисторы MCC N-канальные МОП-транзисторы средней мощности и малого сигнала имеют диапазон рабочиx температур от -55°C до 150°C или 175°C.

Технические параметры

CaseSOT323
Brand:Micro Commercial Components(MCC)
Series:N-Ch Polarity
FET TypeN-Channel
MountingSMD
Vgs (Max)±20V
Fall Time:14 ns
Rise Time:18 ns
TechnologyMOSFET(Metal Oxide)
Вес, г0.03
Technology:Si
Polarisationunipolar
Subcategory:MOSFETs
Корпусsot-323
Channel Mode:Enhancement
Drain current0.22A
Manufacturer:Micro Commercial Components(MCC)
Mounting TypeSurface Mount
Product Type:MOSFET
Configuration:Single
Package / CaseSC-70, SOT-323
Kind of channelenhanced
Kind of packagereel, tape
Mounting Style:SMD/SMT
Package / Case:SOT-323-3
Transistor Type:1 N-Channel
Power dissipation0.3W
Product Category:MOSFET
Type of transistorN-MOSFET
Vgs(th) (Max) @ Id1.5V @ 1mA
СтруктураMOSFET
Gate-source voltage±20V
Number of Channels:1 Channel
On-state resistance6Ω
Drain-source voltage50V
Transistor Polarity:N-Channel
Operating Temperature-55°C ~ 155°C(TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs3.5Ohm @ 220mA, 10V
Особенностиоднопереходный
Pd - Power Dissipation:300 mW
Power Dissipation (Max)300mW(Ta)
Supplier Device PackageSOT-323
Vgs - Gate-Source Voltage:-20 V, +20 V
Typical Turn-On Delay Time:5 ns
Typical Turn-Off Delay Time:36 ns
Drain to Source Voltage (Vdss)50 V
Id - Continuous Drain Current:220 mA
Maximum Operating Temperature:+150 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Forward Transconductance - Min:120 mS
Rds On - Drain-Source Resistance:3.5 Ohms
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds27 pF @ 25 V
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:50 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C220mA(Ta)
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:800 mV
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity:3000
Крутизна характеристики, S-
Пороговое напряжение на затворе0.8…1.5 В
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В50
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А0.22
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт0.3
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)3.5 Ом/0.22А, 10В

Техническая документация