Моя заявка (0)

BSS138W H6327, Trans MOSFET N-CH 60V 0.28A 3-Pin SOT-323 T/R Automotive AEC-Q101

BSS138W H6327, Trans MOSFET N-CH 60V 0.28A 3-Pin SOT-323 T/R Automotive AEC-Q101

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8002165298
Артикул
BSS138W H6327
Бренд
INFINEON TECHNOLOGIES AG.
Brand:
Infineon Technologies
Product:
MOSFET Small Signal
Fall Time:
8.2 ns
Rise Time:
3 ns
Цена по запросу
(от 44 ₽)
Минимальный заказ: 650 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 0,28A

Технические параметры

Brand:Infineon Technologies
Product:MOSFET Small Signal
Fall Time:8.2 ns
Rise Time:3 ns
Вес, г1
Technology:Si
Subcategory:MOSFETs
Корпусsot-323
Channel Mode:Enhancement
Manufacturer:Infineon
Product Type:MOSFET
Configuration:Single
Qualification:AEC-Q101
Mounting Style:SMD/SMT
Package / Case:SOT-323-3
Part # Aliases:BSS138WH6327XT SP000924068 BSS138WH6327XTSA1
Transistor Type:1 N-Channel
Product Category:MOSFET
Qg - Gate Charge:1 nC
СтруктураN-Channel
Number of Channels:1 Channel
Transistor Polarity:N-Channel
Особенностиавтомобильные приложения
Pd - Power Dissipation:500 mW
Vgs - Gate-Source Voltage:-20 V, +20 V
Typical Turn-On Delay Time:2.2 ns
Typical Turn-Off Delay Time:6.7 ns
Id - Continuous Drain Current:280 mA
Maximum Operating Temperature:+150 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Forward Transconductance - Min:0.12 S
Rds On - Drain-Source Resistance:2.1 Ohms
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:60 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:1 V
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity:3000
Пороговое напряжение на затворе0.8…1.5 В
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В60
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А0.28
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт138
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В

Техническая документация