BSS138W-7-F, транзистор, SOT-323
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8024956562
- Артикул
- BSS138W-7-F
- Бренд
- DIODES INC.
- HTS
- 8541.29.00.95
- ECCN
- EAR99
- HTSUS
- 8541.21.0095
- Width
- 1.35mm
Цена по запросу
(от 8,19 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Описание Транзистор: N-MOSFET, полевой, 50В, 0,2А, 0,2Вт, SOT323 Характеристики Категория Транзистор Тип полевой Вид MOSFET
Технические параметры
| HTS | 8541.29.00.95 |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS | 8541.21.0095 |
| Width | 1.35mm |
| Тип | Enhancement Mode Field Effect Transistor |
| EU RoHS | Compliant |
| Package | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ® |
| FET Type | N-Channel |
| Military | No |
| Mounting | Surface Mount |
| ECCN (US) | EAR99 |
| Packaging | Tape and Reel |
| Pin Count | 3 |
| Vgs (Max) | В±20V |
| Automotive | No |
| Lead Shape | Gull-wing |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Вес, г | 0.03 |
| Длина | 2.2 mm |
| Серия | BSS138 |
| PCB changed | 3 |
| Part Status | Active |
| RoHS Status | ROHS3 Compliant |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Package Type | SOT-323 |
| REACH Status | REACH Unaffected |
| Высота | 1 mm |
| Корпус | sot-323 |
| Ширина | 1.35 mm |
| Configuration | Single |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package Width | 1.3 |
| Package / Case | SC-70, SOT-323 |
| Package Height | 0.95 |
| Package Length | 2.15 |
| Продукт | MOSFET Small Signal |
| Product Category | Small Signal |
| Supplier Package | SOT-323 |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.5V @ 250ВµA |
| Base Product Number | BSS138 -> |
| Transistor Material | Si |
| Transistor Polarity | N Channel |
| Технология | Si |
| Operating Temperature | -55В°C ~ 150В°C (TJ) |
| Standard Package Name | SOT |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.5Ohm @ 220mA, 10V |
| Особенности | - |
| Power Dissipation (Max) | 200mW (Ta) |
| Supplier Device Package | SOT-323 |
| Тип продукта | MOSFET |
| Transistor Configuration | Single |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Maximum Power Dissipation | 200 mW |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 1.5V @ 250uA |
| Supplier Temperature Grade | Automotive |
| Maximum Gate Source Voltage | -20 V, +20 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Торговая марка | Diodes Incorporated |
| Упаковка / блок | SOT-323-3 |
| Maximum Drain Source Voltage | 50 V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Канальный режим | Enhancement |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 50V |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 1.5V |
| Maximum Power Dissipation (mW) | 200 |
| Maximum Drain Source Resistance | 3.5 Ω |
| Maximum Gate Source Voltage (V) | ±20 |
| Typical Turn-On Delay Time (ns) | 20(Max) |
| кол-во в упаковке | 3000 |
| Maximum Continuous Drain Current | 200 mA |
| Maximum Drain Source Voltage (V) | 50 |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 3.5О© @ 220mA,10V |
| Typical Turn-Off Delay Time (ns) | 20(Max) |
| Power Dissipation-Max (Ta=25В°C) | 200mW |
| Maximum Operating Temperature (°C) | 150 |
| Minimum Operating Temperature (°C) | -55 |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 50pF @ 10V |
| Maximum Continuous Drain Current (A) | 0.2 |
| Typical Input Capacitance @ Vds (pF) | 50(Max)@10V |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 50V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Maximum Drain Source Resistance (mOhm) | 3500@10V |
| Continuous Drain Current (Id) @ 25В°C | 200mA |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C | 200mA (Ta) |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Pd - рассеивание мощности | 200 mW |
| Id - непрерывный ток утечки | 200 mA |
| Крутизна характеристики, S | - |
| Размер фабричной упаковки | 3000 |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 10 V |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 3.5 Ohms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 50 V |
| Пороговое напряжение на затворе | 0.8…1.5 В |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Типичное время задержки выключения | 20 ns |
| Типичное время задержки при включении | 20 ns |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 500 mV |
| Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 100 mS |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 138 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |