BSS138PS,115, Транзистор: N-MOSFET x2, полевой, 60В, 200мА, Idm: 1,2А, 420мВт
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8070075397
- Артикул
- BSS138PS,115
- Бренд
- Nexperia B.V.
- Width
- 1.35mm
- Brand:
- Nexperia
- Pin Count
- 6
- Вес, г
- 0.02
Цена по запросу
(от 28,19 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Описание Транзистор: N-MOSFET x2, полевой, 60В, 200мА, Idm: 1,2А, 420мВт Характеристики Категория Транзистор Тип полевой Вид MOSFET
Технические параметры
| Width | 1.35mm |
| Brand: | Nexperia |
| Pin Count | 6 |
| Вес, г | 0.02 |
| Technology: | Si |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Package Type | SOT-363 |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Nexperia |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Product Type: | MOSFET |
| Qualification: | AEC-Q101 |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | TSSOP-6 |
| Part # Aliases: | 934064989115 |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 720 pC |
| Number of Channels: | 2 Channel |
| Transistor Material | Si |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Pd - Power Dissipation: | 320 mW |
| Transistor Configuration | Isolated |
| Maximum Power Dissipation | 320 mW |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 0.72 nC @ 4.5 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -20 V, +20 V |
| Number of Elements per Chip | 2 |
| Maximum Drain Source Voltage | 60 V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Id - Continuous Drain Current: | 320 mA |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 1.5V |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 0.9V |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Maximum Drain Source Resistance | 1.6 Ω |
| Maximum Continuous Drain Current | 320 mA |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 1.6 Ohms |
| Количество Выводов | 6вывод(-ов) |
| Монтаж транзистора | Surface Mount |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 60 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 900 mV |
| Непрерывный Ток Стока | 320мА |
| Рассеиваемая Мощность | 420мВт |
| Полярность Транзистора | N Канал |
| Пороговое Напряжение Vgs | 1.2В |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 3000 |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 60В |
| Стиль Корпуса Транзистора | SOT-363 |
| Максимальная Рабочая Температура | 150 C |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.9Ом |