Моя заявка (0)
BSS138P,215

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8810053253
Бренд
Nexperia B.V.
MSL
MSL 1-Unlimited
Width
1.4mm
Вид
N-MOSFET
Тип
полевой
Цена по запросу
(от 9,40 ₽)
Минимальный заказ: 51 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 360мА, 1.14Вт

Технические параметры

MSLMSL 1-Unlimited
Width1.4mm
ВидN-MOSFET
Типполевой
Pin Count3
Вес, г0.05
No. of Pins3Pins
Channel ModeEnhancement
Channel TypeN
Package TypeSOT-23
КорпусSOT-23
МонтажSMD
Mounting TypeSurface Mount
Transistor MaterialSi
Transistor MountingSurface Mount
Transistor PolarityN Channel
Transistor Case StyleSOT-23
Ток стока, А0.36
Мощность, Вт0.35
Особенности-
Drain Source Voltage Vds60V
Transistor ConfigurationSingle
Maximum Power Dissipation420 mW
Operating Temperature Max150°C
Typical Gate Charge @ Vgs0.72 nC @ 4.5 V
Vgs - Gate-Source Voltage1.5V @ 250uA
Continuous Drain Current Id360mA
Maximum Gate Source Voltage-20 V, +20 V
Number of Elements per Chip1
Maximum Drain Source Voltage60 V
Maximum Operating Temperature+150 °C
Minimum Operating Temperature-55 °C
Maximum Gate Threshold Voltage1.5V
Minimum Gate Threshold Voltage0.9V
Maximum Drain Source Resistance1.6 Ω
Maximum Continuous Drain Current360 mA
Rds On - Drain-Source Resistance1.6О© @ 300mA,10V
Gate Source Threshold Voltage Max1.2V
Power Dissipation-Max (Ta=25В°C)350mW
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage60V
Continuous Drain Current (Id) @ 25В°C360mA
Напряжение сток-исток, В60
Крутизна характеристики, S700 mS
Пороговое напряжение на затворе0.8…1.5 В
Сопротивление в открытом состоянии, Ом1.6
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В

Техническая документация