SIPMOS® N-Channel MOSFET, 230 mA, 60 V, 3-Pin SOT-23 BSS138NH6433XTMA1
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8025136314
- Артикул
- BSS138NH6433XTMA1
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Width
- 1.3mm
- Brand:
- Infineon Technologies
- Series
- SIPMOS
- Series:
- BSS138
Цена по запросу
(от 9,40 ₽)
Минимальный заказ: 10000 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Infineon предлагает большой и всесторонний ассортимент устройств на МОП-транзистораx, который включает семейства CoolMOS, OptiMOS и StrongIRFET.
Технические параметры
| Width | 1.3mm |
| Brand: | Infineon Technologies |
| Series | SIPMOS |
| Series: | BSS138 |
| Pin Count | 3 |
| Fall Time: | 8.2 ns |
| Rise Time: | 3 ns |
| Вес, г | 1 |
| Technology: | Si |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Package Type | SOT-23 |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Корпус | SOT-23 |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Infineon |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Qualification: | AEC-Q101 |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | SOT-23-3 |
| Part # Aliases: | BSS138N H6433 SP000924060 |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 1 nC |
| Структура | N-Channel |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Material | Si |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Power Dissipation (Pd) | 360mW |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 360 mW |
| Transistor Configuration | Single |
| Maximum Power Dissipation | 360 mW |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 1 nC @ 10 V |
| Total Gate Charge (Qg@Vgs) | 1.4nC@10V |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -20 V, +20 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Typical Turn-On Delay Time: | 2.3 ns |
| Input Capacitance (Ciss@Vds) | 41pF@25V |
| Maximum Drain Source Voltage | 60 V |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 6.7 ns |
| Continuous Drain Current (Id) | 230mA |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Id - Continuous Drain Current: | 230 mA |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 1.4V |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 0.6V |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Forward Transconductance - Min: | 100 mS |
| Maximum Drain Source Resistance | 3.5 Ω |
| Maximum Continuous Drain Current | 230 mA |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 2.2 Ohms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 60 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 1 V |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 10000 |
| Пороговое напряжение на затворе | 0.8…1.5 В |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 60 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 0.23 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 0.36 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |