BSS138NH6327XTSA2, Транзистор N-канал 60В 0.23A SOT-23-3
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8017378624
- Артикул
- BSS138NH6327XTSA2
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Width
- 1.3mm
- Series
- SIPMOS
- Military
- No
- Packaging
- Tape and Reel
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Описание Транзистор полевой BSS138NH6327XTSA2 от производителя INFINEON является высококачественным компонентом для монтажа на поверхность типа SMD. Этот N-MOSFET транзистор обладает током стока 0,23 А и напряжением сток-исток 60 В, предназначен для применения в различных электронных схемах, где требуется надежное управление мощностью. Мощность устройства составляет 0,36 Вт, а сопротивление в открытом состоянии – всего 3,5 Ом, что обеспечивает эффективную работу. Компактный корпус SOT23 гарантирует удобство интеграции в печатные платы. Используйте код BSS138NH6327XTSA2 для заказа и убедитесь в надежности и долговечности компонента от известного производителя. Характеристики Категория Транзистор Тип полевой Вид N-MOSFET Монтаж SMD Ток стока, А 0.23 Напряжение сток-исток, В 60 Мощность, Вт 0.36 Сопротивление в открытом состоянии, Ом 3.5 Корпус SOT23
Технические параметры
| Width | 1.3mm |
| Series | SIPMOS |
| Military | No |
| Packaging | Tape and Reel |
| Pin Count | 3 |
| Automotive | Yes |
| Вес, г | 0.03 |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Package Type | SOT-23 |
| Корпус | SOT-23-3 |
| Configuration | Single |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Supplier Package | SOT-23 |
| Структура | N-Channel |
| Transistor Material | Si |
| AEC Qualified Number | AEC-Q101 |
| Standard Package Name | SOT-23 |
| Особенности | - |
| Transistor Configuration | Single |
| Maximum Power Dissipation | 360 mW |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 1 nC @ 10 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -20 V, +20 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Maximum Drain Source Voltage | 60 V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Operating Temperature - (??C) | -55~150 |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 1.4V |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 0.6V |
| Maximum Drain Source Resistance | 6 Ω |
| Maximum Continuous Drain Current | 230 mA |
| Maximum Power Dissipation - (mW) | 360 |
| Typical Gate Charge @ 10V - (nC) | 1 |
| Typical Gate Charge @ Vgs - (nC) | 1@10V |
| Maximum Gate Source Voltage - (V) | ??20 |
| Maximum Drain Source Voltage - (V) | 60 |
| Maximum Continuous Drain Current - (A) | 0.23 |
| Typical Input Capacitance @ Vds - (pF) | 32@25V |
| Maximum Drain Source Resistance - (mOhm) | 3500@10V |
| Пороговое напряжение на затворе | 0.8…1.5 В |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 60 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 0.23 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 0.36 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |