Моя заявка (0)
BSS138K, Trans MOSFET N-CH 50V 0.22A 3-Pin SOT-23 T/R

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8002305577
Артикул
BSS138K
Бренд
ON Semiconductor***
Width
1.3mm
Series
-
FET Type
N-Channel
Packaging
Tape & Reel(TR)
Цена по запросу
(от 14 ₽)
Минимальный заказ: 3000 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Полевые транзисторы (FET) в режиме усиления производятся с использованием запатентованной компанией Fairchild теxнологии DMOS с высокой плотностью ячеек.

Технические параметры

Width1.3mm
Series-
FET TypeN-Channel
PackagingTape & Reel(TR)
Pin Count3
Vgs (Max)В±12V
TechnologyMOSFET(Metal Oxide)
Вес, г1
FET Feature-
Part StatusActive
Channel ModeEnhancement
Channel TypeN
ManufacturerON Semiconductor
Package TypeSOT-23
КорпусSOT-23
Mounting TypeSurface Mount
Package / CaseTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Base Part NumberBSS138
Vgs(th) (Max) @ Id1.2V @ 250ВµA
СтруктураN-Channel
Transistor MaterialSi
Operating Temperature-55В°C ~ 150В°C(TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs1.6Ohm @ 50mA, 5V
Особенности-
Power Dissipation (Max)350mW(Ta)
Supplier Device PackageSOT-23-3
Transistor ConfigurationSingle
Maximum Power Dissipation350 mW
Typical Gate Charge @ Vgs2.4 nC @ 10 V
Maximum Gate Source Voltage-12 V, +12 V
Number of Elements per Chip1
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs2.4nC @ 10V
Maximum Drain Source Voltage50 V
Maximum Operating Temperature+150 °C
Minimum Operating Temperature-55 °C
Drain to Source Voltage (Vdss)50V
Minimum Gate Threshold Voltage0.6V
Maximum Drain Source Resistance2.5 Ω
Maximum Continuous Drain Current220 mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds58pF @ 25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)1.8V, 2.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C220mA(Ta)
Пороговое напряжение на затворе0.8…1.5 В
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В50
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А0.22
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В

Техническая документация