Моя заявка (0)

BSS138BKS,115, Транзистор N-MOSFET x2, полевой, 60В, 210мА, 320мВт, SOT363

BSS138BKS,115, Транзистор N-MOSFET x2, полевой, 60В, 210мА, 320мВт, SOT363

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8024650405
Артикул
BSS138BKS,115
Бренд
Nexperia B.V.
Grade
Automotive
Brand:
Nexperia
Series:
BSS138BKS
Technology
MOSFET(Metal Oxide)
Цена по запросу
(от 17,97 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Автомобильные МОП-транзисторы Автомобильные МОП-транзисторы Nexperia представляют собой линейку устройств, сертифицированныx по стандарту AEC-Q101, которые соответствуют строгим стандартам, установленным автомобильной промышленностью. Эти автомобильные устройства Nexperia предназначены для работы в гораздо более неблагоприятныx условияx, чем силовые МОП-транзисторы, используемые в домашниx и портативныx приложенияx, и подxодят для условий с высокими температурными требованиями благодаря температуре +175°C.

Технические параметры

GradeAutomotive
Brand:Nexperia
Series:BSS138BKS
TechnologyMOSFET(Metal Oxide)
Вес, г0.01
FET FeatureLogic Level Gate
Power - Max445mW
Technology:Si
Subcategory:MOSFETs
Channel Mode:Enhancement
Configuration2 N-Channel(Dual)
Manufacturer:Nexperia
Mounting TypeSurface Mount
Product Type:MOSFET
QualificationAEC-Q101
Package / Case6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Qualification:AEC-Q101
Mounting Style:SMD/SMT
Package / Case:TSSOP-6
Part # Aliases:934065728115
Product Category:MOSFET
Qg - Gate Charge:600 pC
Vgs(th) (Max) @ Id1.6V @ 250µA
СтруктураMOSFET
Number of Channels:2 Channel
Transistor Polarity:N-Channel
Operating Temperature-55°C ~ 150°C(TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs1.6Ohm @ 320mA, 10V
Особенности-
Pd - Power Dissipation:280 mW
Supplier Device Package6-TSSOP
Vgs - Gate-Source Voltage:-20 V, +20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs0.7nC @ 4.5V
Drain to Source Voltage (Vdss)60V
Id - Continuous Drain Current:320 mA
Maximum Operating Temperature:+150 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Rds On - Drain-Source Resistance:1.6 Ohms
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds56pF @ 10V
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:60 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C320mA
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:480 mV
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity:3000
Пороговое напряжение на затворе0.8…1.5 В
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В60
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А0.21
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт0.32
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В

Техническая документация