Моя заявка (0)
BSS138BKS,115

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8001801528
Бренд
Nexperia B.V.
Grade
Automotive
Brand:
Nexperia
Series:
BSS138BKS
Technology
MOSFET(Metal Oxide)
Цена по запросу
(от 14,28 ₽)
Минимальный заказ: 23 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Сборка из полевых транзисторов, 2N-канальный, 60 В, 0.32 А, 0.32Вт

Технические параметры

GradeAutomotive
Brand:Nexperia
Series:BSS138BKS
TechnologyMOSFET(Metal Oxide)
Вес, г0.04
FET FeatureLogic Level Gate
Power - Max445mW
Technology:Si
Subcategory:MOSFETs
КорпусTSSOP6
Channel Mode:Enhancement
Configuration2 N-Channel(Dual)
Manufacturer:Nexperia
Mounting TypeSurface Mount
Product Type:MOSFET
QualificationAEC-Q101
Package / Case6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Qualification:AEC-Q101
Mounting Style:SMD/SMT
Package / Case:TSSOP-6
Part # Aliases:934065728115
Product Category:MOSFET
Qg - Gate Charge:600 pC
Vgs(th) (Max) @ Id1.6V @ 250µA
Number of Channels:2 Channel
Transistor Polarity:N-Channel
Operating Temperature-55°C ~ 150°C(TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs1.6Ohm @ 320mA, 10V
Особенности-
Pd - Power Dissipation:280 mW
Supplier Device Package6-TSSOP
Vgs - Gate-Source Voltage:-20 V, +20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs0.7nC @ 4.5V
Drain to Source Voltage (Vdss)60V
Id - Continuous Drain Current:320 mA
Maximum Operating Temperature:+150 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Rds On - Drain-Source Resistance:1.6 Ohms
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds56pF @ 10V
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:60 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C320mA
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:480 mV
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity:3000
Пороговое напряжение на затворе0.8…1.5 В
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)1 Ом

Техническая документация