BSS138BK,215, Транзистор N-МОП, полевой, logic level, 60В, 360мА, 350мВт
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8070061952
- Артикул
- BSS138BK,215
- Бренд
- Nexperia B.V.
- Width
- 1.4mm
- Pin Count
- 3
- Вес, г
- 0.02
- Channel Mode
- Enhancement
Цена по запросу
(от 18,97 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 1.14Вт
Технические параметры
| Width | 1.4mm |
| Pin Count | 3 |
| Вес, г | 0.02 |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Package Type | SOT-23 |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Transistor Material | Si |
| Transistor Polarity | N Channel |
| Transistor Configuration | Single |
| Maximum Power Dissipation | 420 mW |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 0.6 nC @ 4.5 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 1.6V @ 250uA |
| Maximum Gate Source Voltage | -20 V, +20 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Maximum Drain Source Voltage | 60 V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 1.6V |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 0.48V |
| Maximum Drain Source Resistance | 1.6 Ω |
| Maximum Continuous Drain Current | 360 mA |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 1.6О© @ 350mA,10V |
| Power Dissipation-Max (Ta=25В°C) | 350mW |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 60V |
| Continuous Drain Current (Id) @ 25В°C | 360mA |