Моя заявка (0)

BSS138BK,215, Транзистор N-МОП, полевой, logic level, 60В, 360мА, 350мВт

BSS138BK,215, Транзистор N-МОП, полевой, logic level, 60В, 360мА, 350мВт

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8024649888
Артикул
BSS138BK,215
Бренд
Nexperia B.V.
Width
1.4mm
Pin Count
3
Вес, г
0.02
Channel Mode
Enhancement
Цена по запросу
(от 6,47 ₽)
Минимальный заказ: 10 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 1.14Вт

Технические параметры

Width1.4mm
Pin Count3
Вес, г0.02
Channel ModeEnhancement
Channel TypeN
Package TypeSOT-23
Mounting TypeSurface Mount
СтруктураN-МОП
Transistor MaterialSi
Transistor PolarityN Channel
Особенностилогические уровни
Transistor ConfigurationSingle
Maximum Power Dissipation420 mW
Typical Gate Charge @ Vgs0.6 nC @ 4.5 V
Vgs - Gate-Source Voltage1.6V @ 250uA
Maximum Gate Source Voltage-20 V, +20 V
Number of Elements per Chip1
Maximum Drain Source Voltage60 V
Maximum Operating Temperature+150 °C
Minimum Operating Temperature-55 °C
Maximum Gate Threshold Voltage1.6V
Minimum Gate Threshold Voltage0.48V
Maximum Drain Source Resistance1.6 Ω
Maximum Continuous Drain Current360 mA
Rds On - Drain-Source Resistance1.6О© @ 350mA,10V
Power Dissipation-Max (Ta=25В°C)350mW
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage60V
Continuous Drain Current (Id) @ 25В°C360mA
Пороговое напряжение на затворе0.8…1.5 В
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В60
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А0.36
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт0.35
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В

Техническая документация