Моя заявка (0)

BSS138AKAR, Транзистор N-MOSFET, полевой, 60В, 125мА, 360мВт, SOT23

BSS138AKAR, Транзистор N-MOSFET, полевой, 60В, 125мА, 360мВт, SOT23

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8014887770
Артикул
BSS138AKAR
Бренд
Nexperia B.V.
Type
null
Вес, г
0.02
Корпус
sot23
Структура
MOSFET
Цена по запросу
(от 13,90 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Описание Транзистор N-MOSFET, полевой, 60В, 125мА, 360мВт, SOT23 Характеристики Категория Транзистор Тип полевой Вид MOSFET

Технические параметры

Typenull
Вес, г0.02
Корпусsot23
СтруктураMOSFET
ТехнологияSi
Operating Temperature-55℃~+150℃@(Tj)
Вид монтажаSMD/SMT
Время спада22 ns
Power Dissipation (Pd)300mW;1.06W
Особенности-
Тип продуктаMOSFET
КонфигурацияSingle
ПодкатегорияMOSFETs
Total Gate Charge (Qg@Vgs)510pC@4.5V
Торговая маркаNexperia
Упаковка / блокTO-236AB-3
Input Capacitance (Ciss@Vds)47pF@30V
Continuous Drain Current (Id)200mA
Канальный режимEnhancement
Тип транзистора1 N-Channel
Qg - заряд затвора0.39 nC
Время нарастания6 ns
Категория продуктаМОП-транзистор
Количество каналов1 Channel
Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds)-
Полярность транзистораN-Channel
Pd - рассеивание мощности1.06 W
Id - непрерывный ток утечки200 mA
Размер фабричной упаковки3000
Vgs - напряжение затвор-исток10 V
Rds Вкл - сопротивление сток-исток4.5 Ohms
Vds - напряжение пробоя сток-исток60 V
Пороговое напряжение на затворе0.8…1.5 В
Минимальная рабочая температура55 C
Максимальная рабочая температура+ 150 C
Типичное время задержки выключения36 ns
Типичное время задержки при включении5 ns
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток800 mV
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В60
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А138
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.320 mS
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт0.36
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)4.5Ω@100mA, 10V

Техническая документация