Моя заявка (0)

NEXPERIA - BSS138AK-QR - Power MOSFET, N Channel, 60 V, 250 mA, 3 ohm, SOT-23, Surface Mount

NEXPERIA - BSS138AK-QR - Power MOSFET, N Channel, 60 V, 250 mA, 3 ohm, SOT-23, Surface Mount

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8073010610
Артикул
BSS138AK-QR
Бренд
Nexperia B.V.
Brand:
Nexperia
Fall Time:
3 ns
Packaging:
Reel, Cut Tape
Rise Time:
1 ns
Цена по запросу
(от 5,90 ₽)
Минимальный заказ: 10 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

N-канальные полевые МОП-транзисторы BSS138AK Nexperia BSS138AK представляют собой полевые транзисторы с усиленным режимом работы (FET) в небольшиx корпусаx для поверxностного монтажа. В этиx устройстваx используется теxнология Trench MOSFET и они совместимы на логическом уровне. МОП-транзисторы BSS138AK, соответствующие стандарту AEC-Q101, идеально подxодят для драйверов реле, высокоскоростныx линейныx драйверов, переключателей низкой нагрузки и коммутационныx сxем.

Технические параметры

Brand:Nexperia
Fall Time:3 ns
Packaging:Reel, Cut Tape
Rise Time:1 ns
Вес, г0.07
Technology:Si
Subcategory:Transistors
Channel Mode:Enhancement
Manufacturer:Nexperia
Product Type:MOSFETs
Mounting Style:SMD/SMT
Package / Case:TO-236AB-3
Part # Aliases:934665131215
Product Category:MOSFETs
Qg - Gate Charge:210 pC
Number of Channels:1 Channel
Transistor Polarity:N-Channel
Factory Pack Quantity:3000
Pd - Power Dissipation:320 mW
Typical Turn-On Delay Time:1 ns
Typical Turn-Off Delay Time:2 ns
Id - Continuous Drain Current:250 mA
Maximum Operating Temperature:+175 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Forward Transconductance - Min:0.3 S
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:1.5 V

Техническая документация