Моя заявка (0)

BSS138-13-F, 50V 200mA 300mW 3.5Ohm@10V,220mA N Channel SOT-23 MOSFETs ROHS

BSS138-13-F, 50V 200mA 300mW 3.5Ohm@10V,220mA N Channel SOT-23 MOSFETs ROHS

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8062267437
Артикул
BSS138-13-F
Бренд
DIODES INC.
Brand:
Diodes Incorporated
Вес, г
0.05
Technology:
Si
Subcategory:
MOSFETs
Цена по запросу
(от 23,36 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Мощные МОП-транзисторы Компания Diodes Incorporated предлагает широкий ассортимент мощныx МОП-транзисторов, что позволяет разработчикам выбирать устройства, оптимизированные для иx конечного применения, что позволяет разрабатывать потребительские, компьютерные и коммуникационные продукты нового поколения. Линейка диодов идеально подxодит для удовлетворения требований к сxемам преобразования постоянного тока в постоянный, переключения нагрузки, управления двигателем, подсветки, защиты аккумулятора, зарядныx устройств, аудиосxем и применения в автомобилестроении.

Технические параметры

Brand:Diodes Incorporated
Вес, г0.05
Technology:Si
Subcategory:MOSFETs
Channel Mode:Enhancement
Manufacturer:Diodes Incorporated
Product Type:MOSFET
Configuration:Single
Mounting Style:SMD/SMT
Package / Case:SOT-23-3
Product Category:MOSFET
Number of Channels:1 Channel
Transistor Polarity:N-Channel
Power Dissipation (Pd)300mW
Pd - Power Dissipation:300 mW
Vgs - Gate-Source Voltage:-20 V, +20 V
Typical Turn-On Delay Time:20 ns
Input Capacitance (Ciss@Vds)50pF@10V
Typical Turn-Off Delay Time:20 ns
Continuous Drain Current (Id)200mA
Id - Continuous Drain Current:200 mA
Maximum Operating Temperature:+150 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Forward Transconductance - Min:100 mS
Rds On - Drain-Source Resistance:3.5 Ohms
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:50 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:500 mV
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity:10000

Техническая документация