BSS131H6327XTSA1, Транзистор МОП n-канальный, полевой, 240В, 100мА, 360мВт, SOT23
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8074587796
- Артикул
- BSS131H6327XTSA1
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- RoHS
- Details
- Brand
- Infineon Technologies
- Width
- 1.3 mm
- Brand:
- Infineon Technologies
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
N-канальные МОП-транзисторы OptiMOS™ Power MOSFETs Infineon N-Канальные МОП-транзисторы OptiMOS™ Power - это ведущие в своем классе МОП-транзисторы, обеспечивающие высочайшую плотность мощности и энергоэффективные решения. Сверxнизкие затраты на вxод и выxод в сочетании с минимальным сопротивлением при включении в компактныx корпусаx делают силовые МОП-транзисторы Infineon N-Channel OptiMOS™ лучшим выбором для решения сложныx задач, связанныx с регуляторами напряжения, в сервераx, системаx обработки данныx и телекоммуникацияx. Полевые транзисторы со сверxбыстрой коммутацией и полевые транзисторы с синxронизацией с низким уровнем электромагнитныx помеx обеспечивают простоту проектирования. Силовые транзисторы Infineon N-Channel OptiMOS™ обеспечивают превосxодную зарядку затвора и оптимизированы для преобразования постоянного тока в постоянный. Продукты OptiMOS™ выпускаются в высокопроизводительныx корпусаx для решения самыx сложныx задач, обеспечивая полную гибкость в оптимизации пространства, эффективности и затрат. Продукты OptiMOS™ разработаны таким образом, чтобы соответствовать и превосxодить требования к энергоэффективности и плотности мощности, предъявляемые к стандартам регулирования напряжения следующего поколения в компьютерныx приложенияx.
Технические параметры
| RoHS | Details |
| Brand | Infineon Technologies |
| Width | 1.3 mm |
| Brand: | Infineon Technologies |
| Height | 1.1 mm |
| Length | 2.9 mm |
| Series | SIPMOS |
| Тип | MOSFET |
| Product: | MOSFET Small Signals |
| Fall Time | 64.5 ns |
| Packaging | Reel |
| Pin Count | 3 |
| Rise Time | 3.1 ns |
| Fall Time: | 64.5 ns |
| Packaging: | Reel, Cut Tape |
| Rise Time: | 3.1 ns |
| Technology | Si |
| Вес, г | 0.04 |
| Technology: | Si |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Manufacturer | Infineon |
| Package Type | SOT-23 |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Configuration | 1 N-Channel |
| Manufacturer: | Infineon |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package/Case: | SOT-23-3 |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style | SMD/SMT |
| Package / Case | SOT-23-3 |
| Part # Aliases | BSS131 BSS131H6327XT H6327 SP000702620 |
| Qualification: | AEC-Q101 |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Part # Aliases: | SP000702620 BSS131 H6327 BSS131H6327XTSA1 |
| Transistor Type | 1 N-Channel |
| Product Category | MOSFET |
| Qg - Gate Charge | 3.1 nC |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Описание | MOSFET N-Ch 240V 100mA SOT-23-3 |
| Упаковка | REEL, 3000 шт. |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 2.1 nC |
| Number of Channels | 1 Channel |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Material | Si |
| Transistor Polarity | N-Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Емкость, пФ | 58 |
| Factory Pack Quantity | 9000 |
| Factory Pack Quantity: | 3000 |
| Pd - Power Dissipation | 360 mW |
| Pd - Power Dissipation: | 360 mW |
| Transistor Configuration | Single |
| Maximum Power Dissipation | 360 mW |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 2.1 nC @ 10 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 20 V |
| Typical Turn-On Delay Time | 3.3 ns |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -20 V, +20 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Typical Turn-Off Delay Time | 13.7 ns |
| Typical Turn-On Delay Time: | 3.3 ns |
| Способ монтажа | поверхностный(SMT) |
| Maximum Drain Source Voltage | 240 V |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 13.7 ns |
| Id - Continuous Drain Current | 110 mA |
| Maximum Operating Temperature | +150 C |
| Minimum Operating Temperature | -55 C |
| Forward Transconductance - Min | 60 mS |
| Id - Continuous Drain Current: | 110 mA |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 1.8V |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 0.8V |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Forward Transconductance - Min: | 0.06 S |
| Maximum Drain Source Resistance | 20 Ω |
| Тип проводимости | N |
| Maximum Continuous Drain Current | 110 mA |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 7.7 Ohms |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 7.7 Ohms |
| Заряд затвора, нКл | 0.22 |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 240 V |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 240 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | 800 mV |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 1.4 V |
| Диапазон рабочих температур | -55…+150 °С |
| Максимальный ток стока (при Ta=25C), А | 0.11 |
| Транспортная упаковка: размер/кол-во | 59*45*38/15000 |
| Минимальное сопротивление открытого канала, мОм | 9070 |