BSS127SSN-7, Транзистор: N-MOSFET
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8070151484
- Артикул
- BSS127SSN-7
- Бренд
- DIODES INC.
- HTS
- 8541.29.00.95
- EU RoHS
- Compliant
- Military
- No
- Mounting
- Surface Mount
Цена по запросу
(от 51,24 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
МОП-транзистор BSS Family,SC59 Family,SC59,3K
Технические параметры
| HTS | 8541.29.00.95 |
| EU RoHS | Compliant |
| Military | No |
| Mounting | Surface Mount |
| ECCN (US) | EAR99 |
| Packaging | Tape and Reel |
| Pin Count | 3 |
| Automotive | No |
| Lead Shape | Gull-wing |
| Вес, г | 1 |
| Серия | BSS127 |
| PCB changed | 3 |
| Part Status | Active |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Configuration | Single |
| Package Width | 1.6 |
| Package Height | 1.1 |
| Package Length | 3 |
| Product Category | Power MOSFET |
| Supplier Package | SC-59 |
| Maximum IDSS (uA) | 0.1 |
| Технология | Si |
| Standard Package Name | SC |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Время спада | 168 ns |
| Typical Fall Time (ns) | 168 |
| Typical Rise Time (ns) | 7.2 |
| Тип продукта | MOSFET |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Торговая марка | Diodes Incorporated |
| Упаковка / блок | SOT-23-3 |
| Канальный режим | Enhancement |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Maximum Power Dissipation (mW) | 1250 |
| Qg - заряд затвора | 1.08 nC |
| Typical Gate Charge @ 10V (nC) | 1.08 |
| Typical Gate Charge @ Vgs (nC) | 1.08@10V |
| Maximum Gate Source Voltage (V) | ±20 |
| Typical Turn-On Delay Time (ns) | 5 |
| Время нарастания | 7.2 ns |
| Maximum Drain Source Voltage (V) | 600 |
| Typical Turn-Off Delay Time (ns) | 28.7 |
| Maximum Diode Forward Voltage (V) | 1.5 |
| Maximum Gate Threshold Voltage (V) | 4.5 |
| Maximum Operating Temperature (°C) | 150 |
| Minimum Operating Temperature (°C) | -55 |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Maximum Continuous Drain Current (A) | 0.07 |
| Operating Junction Temperature (°C) | -55 to 150 |
| Typical Input Capacitance @ Vds (pF) | 21.8@25V |
| Maximum Drain Source Resistance (mOhm) | 160@10V |
| Maximum Gate Source Leakage Current (nA) | 100 |
| Maximum Positive Gate Source Voltage (V) | 20 |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Pd - рассеивание мощности | 610 mW |
| Id - непрерывный ток утечки | 50 mA |
| Размер фабричной упаковки | 3000 |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 160 Ohms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 600 V |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Типичное время задержки выключения | 28.7 ns |
| Типичное время задержки при включении | 5 ns |