BSS127H6327XTSA2, Транзистор: N-MOSFET, полевой, 600В, 0,021А, 0,5Вт, SOT23
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8023414452
- Артикул
- BSS127H6327XTSA2
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Brand:
- Infineon Technologies
- Вид
- N-MOSFET
- Тип
- полевой
- Series:
- BSS127
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Описание Транзистор полевой BSS127H6327XTSA2 от производителя INFINEON – это высококачественный N-MOSFET компонент, предназначенный для монтажа на поверхность (SMD). Он обладает низким током стока 0,021 А, высоким напряжением сток-исток, достигая 600 В, и работает при мощности 0,5 Вт. Сопротивление в открытом состоянии составляет 500 Ом. Компактный корпус SOT23 позволяет использовать транзистор в различных электронных устройствах, где требуется экономия пространства. Модель BSS127H6327XTSA2 станет надежным элементом в вашей электронной схеме. Характеристики Категория Транзистор Тип полевой Вид N-MOSFET Монтаж SMD Ток стока, А 0.021 Напряжение сток-исток, В 600 Мощность, Вт 0.5 Сопротивление в открытом состоянии, Ом 500 Корпус SOT23
Технические параметры
| Brand: | Infineon Technologies |
| Вид | N-MOSFET |
| Тип | полевой |
| Series: | BSS127 |
| Product: | MOSFET Small Signal |
| Fall Time: | 115 ns |
| Rise Time: | 9.7 ns |
| Вес, г | 0.03 |
| No. of Pins | 3; SVHC |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Корпус | sot23 |
| Монтаж | SMD |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Infineon |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Qualification: | AEC-Q101 |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | SOT-23-3 |
| Part # Aliases: | BSS127H6327XT SP000919332 BSS127H6327XTSA2 |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 650 pC |
| Структура | MOSFET |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity | N Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Ток стока, А | 0.021 |
| Мощность, Вт | 0.5 |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 500 mW |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 2.6V @ 8uA |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 6.1 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 14 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 21 mA |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Forward Transconductance - Min: | 7 mS |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 500О© @ 16mA,10V |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 310 Ohms |
| Power Dissipation-Max (Ta=25В°C) | 500mW |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 600V |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 600 V |
| Continuous Drain Current (Id) @ 25В°C | 21mA |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 2 V |
| Напряжение сток-исток, В | 600 |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 3000 |
| Пороговое напряжение на затворе | 1…2.5 В |
| Сопротивление в открытом состоянии, Ом | 500 |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 600 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 0.021 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 0.5 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |