Моя заявка (0)

BSS123WQ-7-F, Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-323 T/R

BSS123WQ-7-F, Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-323 T/R

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8002244690
Артикул
BSS123WQ-7-F
Бренд
DIODES INC.
Вес, г
1
Длина
2.15 mm
Серия
BSS123W
Высота
0.95 mm
Цена по запросу
(от 11 ₽)
Минимальный заказ: 3000 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

МОП-транзистор 100V N-Ch Enh FET 100Vdgr 20Vgss 200mA

Технические параметры

Вес, г1
Длина2.15 mm
СерияBSS123W
Высота0.95 mm
Корпусsot-323
Ширина1.3 mm
СтруктураN-Channel
Transistor PolarityN Channel
ТехнологияSi
Вид монтажаSMD/SMT
Время спада16 ns
Особенностиавтомобильные приложения
Тип продуктаMOSFET
КвалификацияAEC-Q101
КонфигурацияSingle
ПодкатегорияMOSFETs
Vgs - Gate-Source Voltage2V @ 1mA
Торговая маркаDiodes Incorporated
Упаковка / блокSOT-323-3
Канальный режимEnhancement
Тип транзистора1 N-Channel
Время нарастания8 ns
Rds On - Drain-Source Resistance6О© @ 170mA,10V
Power Dissipation-Max (Ta=25В°C)200mW
Категория продуктаМОП-транзистор
Количество каналов1 Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage100V
Continuous Drain Current (Id) @ 25В°C170mA
Полярность транзистораN-Channel
Pd - рассеивание мощности200 mW
Id - непрерывный ток утечки170 mA
Размер фабричной упаковки3000
Vgs - напряжение затвор-исток20 V, + 20 V
Rds Вкл - сопротивление сток-исток6 Ohms
Vds - напряжение пробоя сток-исток100 V
Пороговое напряжение на затворе0.8…2 В
Минимальная рабочая температура55 C
Максимальная рабочая температура+ 150 C
Типичное время задержки выключения13 ns
Типичное время задержки при включении8 ns
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток800 mV
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В100
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А0.17
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.80 mS
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт0.2
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В

Техническая документация