Моя заявка (0)

BSS123Q-13, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 170мА; Idm: 680мА; 0,3Вт; SOT23

BSS123Q-13, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 170мА; Idm: 680мА; 0,3Вт; SOT23

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8056831214
Артикул
BSS123Q-13
Бренд
DIODES INC.
Grade
Automotive
Brand:
Diodes Incorporated
FET Type
N-Channel
Vgs (Max)
±20V
Цена по запросу
(от 24,87 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

N-канальный 100 В 170 мА (Ta) 300 МВт (Ta) для поверxностного монтажа SOT-23-3

Технические параметры

GradeAutomotive
Brand:Diodes Incorporated
FET TypeN-Channel
Vgs (Max)±20V
TechnologyMOSFET(Metal Oxide)
Вес, г0.01
Technology:Si
Subcategory:Transistors
Channel Mode:Enhancement
Manufacturer:Diodes Incorporated
Mounting TypeSurface Mount
Product Type:MOSFETs
QualificationAEC-Q101
Package / CaseTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Style:SMD/SMT
Product Category:MOSFETs
Vgs(th) (Max) @ Id2V @ 1mA
Number of Channels:1 Channel
Transistor Polarity:N-Channel
Operating Temperature-55°C ~ 150°C(TJ)
Factory Pack Quantity:10000
Rds On (Max) @ Id, Vgs6Ohm @ 170mA, 10V
Pd - Power Dissipation:300 mW
Power Dissipation (Max)300mW(Ta)
Supplier Device PackageSOT-23-3
Vgs - Gate-Source Voltage:-20 V, +20 V
Drain to Source Voltage (Vdss)100 V
Id - Continuous Drain Current:170 mA
Maximum Operating Temperature:+150 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Rds On - Drain-Source Resistance:6 Ohms
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds60 pF @ 25 V
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:100 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C170mA(Ta)
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:2 V

Техническая документация