BSS123LT1G, Транзистор полевой MOSFET N-канальный
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8065525744
- Артикул
- BSS123LT1G
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Width
- 1.3mm
- Вид
- MOSFET
- Тип
- полевой
- Pin Count
- 3
Цена по запросу
(от 5,50 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Описание Транзистор полевой,МОП n-канальный, 100В, 170мА, 3 Характеристики Категория Транзистор Тип полевой Вид MOSFET
Технические параметры
| Width | 1.3mm |
| Вид | MOSFET |
| Тип | полевой |
| Pin Count | 3 |
| Вес, г | 1 |
| Длина | 2.9мм |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Package Type | SOT-23 |
| Высота | 0.94мм |
| Ширина | 1.3мм |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Размеры | 2.9 x 1.3 x 0.94мм |
| Категория | Мощный МОП-транзистор |
| Transistor Material | Si |
| Тип канала | N |
| Тип корпуса | SOT-23 |
| Тип монтажа | Поверхностный монтаж |
| Номер канала | Поднятие |
| Transistor Configuration | Одинарный |
| Maximum Power Dissipation | 225 mW |
| Производитель | ON Semiconductor |
| Maximum Gate Source Voltage | -20 V, +20 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Maximum Drain Source Voltage | 100 V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Число контактов | 3 |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 2.8V |
| Maximum Drain Source Resistance | 6 Ω |
| кол-во в упаковке | 3000 |
| Maximum Continuous Drain Current | 170 mA |
| Материал транзистора | SI |
| Количество элементов на ИС | 1 |
| Типичная входная емкость при Vds | 20 пФ при 25 В |
| Максимальное рассеяние мощности | 225 мВт |
| Минимальная рабочая температура | -55 °C |
| Максимальная рабочая температура | +150 °C |
| Типичное время задержки включения | 20 ns |
| Максимальное напряжение сток-исток | 100 В |
| Максимальный непрерывный ток стока | 170 мА |
| Типичное время задержки выключения | 40 нс |
| Максимальное напряжение затвор-исток | -20 В, +20 В |
| Максимальное сопротивление сток-исток | 6 Ω |