Моя заявка (0)
BSS123LT1G, Транзистор полевой

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8031362974
Артикул
BSS123LT1G
Бренд
ON Semiconductor***
Width
1.3mm
Вид
MOSFET
Тип
полевой
Pin Count
3
Цена по запросу
(от 7 ₽)
Минимальный заказ: 100 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Транзистор полевой,МОП n-канальный, 100В, 170мА

Технические параметры

Width1.3mm
ВидMOSFET
Типполевой
Pin Count3
Вес, г0.05
Длина2.9мм
Channel ModeEnhancement
Channel TypeN
Package TypeSOT-23
Высота0.94мм
КорпусSOT-23
Ширина1.3мм
Mounting TypeSurface Mount
Размеры2.9 x 1.3 x 0.94мм
КатегорияМощный МОП-транзистор
Transistor MaterialSi
Тип каналаN
Тип корпусаSOT-23
Тип монтажаПоверхностный монтаж
Особенности-
Номер каналаПоднятие
Transistor ConfigurationОдинарный
Maximum Power Dissipation225 mW
ПроизводительON Semiconductor
Maximum Gate Source Voltage-20 V, +20 V
Number of Elements per Chip1
Maximum Drain Source Voltage100 V
Maximum Operating Temperature+150 °C
Minimum Operating Temperature-55 °C
Число контактов3
Maximum Gate Threshold Voltage2.8V
Maximum Drain Source Resistance6 Ω
кол-во в упаковке3000
Maximum Continuous Drain Current170 mA
Материал транзистораSI
Крутизна характеристики, S370
Количество элементов на ИС1
Типичная входная емкость при Vds20 пФ при 25 В
Пороговое напряжение на затворе0.8…2 В
Максимальное рассеяние мощности225 мВт
Минимальная рабочая температура-55 °C
Максимальная рабочая температура+150 °C
Типичное время задержки включения20 ns
Максимальное напряжение сток-исток100 В
Максимальный непрерывный ток стока170 мА
Типичное время задержки выключения40 нс
Максимальное напряжение затвор-исток-20 В, +20 В
Максимальное сопротивление сток-исток6 Ω
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В100
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт225
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В20

Техническая документация