BSS123L, Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8002159887
- Артикул
- BSS123L
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Case
- SOT23
- Mounting
- SMD
- Pin Count
- 3
- Вес, г
- 1
Цена по запросу
(от 7,10 ₽)
Минимальный заказ: 6000 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Мощный MOSFET 170 мА, 100 В, N-канальная приставка SOT-23 BVSS для автомобильной промышленности и другиx применений, требующиx уникальныx требований к месту установки и управлению, с поддержкой PPAP
Технические параметры
| Case | SOT23 |
| Mounting | SMD |
| Pin Count | 3 |
| Вес, г | 1 |
| Gate charge | 2.5nC |
| Package Type | SOT-23 |
| Polarisation | unipolar |
| Корпус | SOT-23 |
| Drain current | 0.17A |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Kind of channel | enhancement |
| Kind of package | reel, tape |
| Power dissipation | 0.36W |
| Type of transistor | N-MOSFET |
| Структура | N-Channel |
| Gate-source voltage | ±20V |
| On-state resistance | 12Ω |
| Drain-source voltage | 100V |
| Особенности | - |
| Maximum Power Dissipation | 225 mW |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Features of semiconductor devices | logic level |
| Пороговое напряжение на затворе | 0.8…2 В |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 100 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 0.17 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 0.36 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |