BSS123IXTSA1, Транзисторы и сборки MOSFET PGSOT233
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8014698878
- Артикул
- BSS123IXTSA1
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Case
- SOT23
- Q(g)
- 0.63 nC
- V(DS)
- 100 V
- P(tot)
- 0.5 W
Цена по запросу
(от 21,30 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Infineon BSS123I - это малосигнальные N- и P-канальные МОП-транзисторы малой мощности, которые обеспечивают широкий диапазон уровней VGS (th) и RDS(on), а также несколько классов напряжения.
Технические параметры
| Case | SOT23 |
| Q(g) | 0.63 nC |
| V(DS) | 100 V |
| P(tot) | 0.5 W |
| Series | BSS123I |
| Package | SOT-23 |
| Mounting | SMD |
| Packaging | REEL |
| Pin Count | 4 |
| Automotive | NO |
| Technology | OptiMOS™ |
| Вес, г | 0.02 |
| Gate charge | 0.63nC |
| Logic level | YES |
| RoHS Status | RoHS-conform |
| Channel Mode | Depletion |
| Channel Type | N |
| Manufacturer | INFINEON TECHNOLOGIES |
| Package Type | SOT-223 |
| Polarisation | unipolar |
| Корпус | sot23 |
| Configuration | N-CH |
| Drain current | 0.15A |
| Mounting Type | Surface Mount |
| RDS(on)at 10V | 2400 mOhm |
| Fast bodydiode | YES |
| I(D)at Tc=25°C | 0.19 A |
| Kind of channel | enhanced |
| Power dissipation | 0.5W |
| Type of transistor | N-MOSFET |
| Структура | MOSFET |
| Gate-source voltage | ±20V |
| On-state resistance | 10Ω |
| Drain-source voltage | 100V |
| Pulsed drain current | 0.77A |
| Особенности | - |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Maximum Drain Source Voltage | 100 V |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 1.8V |
| Maximum Continuous Drain Current | 190 mA |
| Пороговое напряжение на затворе | 0.8…2 В |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 0.5 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |