Моя заявка (0)

BSS123, 100V 170mA 6-@10V 0.35W 2.5V@250uA N Channel 30pF SOT-23 MOSFETs

нет фото

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8015860881
Артикул
BSS123
Бренд
HXY MOSFET
Type
N Channel
Brand
ON Semiconductor/Fairchild
Series
BSS123
Product
MOSFET Small Signal
Цена по запросу
(от 5 ₽)
Минимальный заказ: 20 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

100 В 170 мА 6 ОМ при 10 В 350 МВт 2.5V@250uA N-канальные МОП-транзисторы SOT-23 соответствуют требованиям ROHS

Технические параметры

TypeN Channel
BrandON Semiconductor/Fairchild
SeriesBSS123
ProductMOSFET Small Signal
Fall Time9 ns
PackagingCut Tape or Reel
Rise Time9 ns
TechnologySi
Вес, г0.04
SubcategoryMOSFETs
Channel ModeEnhancement
ManufacturerON Semiconductor
Product TypeMOSFET
КорпусSOT-23
ConfigurationSingle
Mounting StyleSMD/SMT
Package / CaseSOT-23-3
Part # AliasesBSS123_NL
Transistor Type1 N-Channel
Product CategoryMOSFET
Number Of Channels1 Channel
СтруктураN-Channel
Transistor PolarityN-Channel
Factory Pack Quantity3000
Pd - Power Dissipation360 mW
Особенности-
Vgs - Gate-Source Voltage20 V
Typical Turn-On Delay Time1.7 ns
Typical Turn-Off Delay Time17 ns
Continuous Drain Current (Id)1A
Id - Continuous Drain Current170 mA
Maximum Operating Temperature+150 C
Minimum Operating Temperature-55 C
Forward Transconductance - Min0.8 S
Rds On - Drain-Source Resistance6 Ohms
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage100 V
Крутизна характеристики, S370
Пороговое напряжение на затворе0.8…2 В
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В100
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А0.17
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт0.35
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)3.5Ω

Техническая документация