BSS123,215, Транзистор N-МОП, полевой, logic level, 100В, 150мА, 250мВт
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8024649887
- Артикул
- BSS123,215
- Бренд
- Nexperia B.V.
- Width
- 1.4mm
- Pin Count
- 3
- Вес, г
- 0.02
- Channel Mode
- Enhancement
Цена по запросу
(от 4,74 ₽)
Минимальный заказ: 10 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Описание Транзистор N-МОП, полевой, logic level, 100В, 150мА, 250мВт
Технические параметры
| Width | 1.4mm |
| Pin Count | 3 |
| Вес, г | 0.02 |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Package Type | SOT-23 |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Структура | N-МОП |
| Transistor Material | Si |
| Transistor Polarity | N Channel |
| Особенности | логические уровни |
| Transistor Configuration | Single |
| Maximum Power Dissipation | 250 mW |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 2.8V @ 1mA |
| Maximum Gate Source Voltage | -20 V, +20 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Maximum Drain Source Voltage | 100 V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 2.8V |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 1V |
| Maximum Drain Source Resistance | 6 Ω |
| Maximum Continuous Drain Current | 150 mA |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 6О© @ 120mA,10V |
| Power Dissipation-Max (Ta=25В°C) | 250mW |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 100V |
| Continuous Drain Current (Id) @ 25В°C | 150mA |
| Крутизна характеристики, S | 370 |
| Пороговое напряжение на затворе | 0.8…2 В |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 100 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 0.15 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 0.25 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |