BSR802NL6327HTSA1, Транзистор: N-MOSFET, полевой, 20В, 3,7А, 0,5Вт, SC59
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8070089309
- Артикул
- BSR802NL6327HTSA1
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Brand:
- Infineon Technologies
- Series:
- BSR802
- Fall Time:
- 4.1 ns
- Rise Time:
- 18 ns
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Описание Транзистор полевой BSR802NL6327HTSA1 производства INFINEON представляет собой высококачественный N-MOSFET компонент, обеспечивающий оптимальный контроль тока в электронных устройствах. Монтаж данного элемента осуществляется с помощью поверхностного монтажа (SMD), что делает его удобным для интеграции в современные печатные платы. Транзистор способен управлять током стока до 3,7 А при напряжении сток-исток 20 В, обладая при этом низким сопротивлением в открытом состоянии всего 0,032 Ом, что свидетельствует о его высокой эффективности. Мощность устройства составляет 0,5 Вт, а его компактный корпус SC-59 идеально подходит для мелкосерийного и массового производства электроники. Артикул BSR802NL6327HTSA1 станет надежным и долговечным компонентом в любой схеме. Характеристики Категория Транзистор Тип полевой Вид N-MOSFET Монтаж SMD Ток стока, А 3.7 Напряжение сток-исток, В 20 Мощность, Вт 0.5 Сопротивление в открытом состоянии, Ом 0.032 Корпус SC-59
Технические параметры
| Brand: | Infineon Technologies |
| Series: | BSR802 |
| Fall Time: | 4.1 ns |
| Rise Time: | 18 ns |
| Вес, г | 0.03 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Infineon |
| Package/Case: | SOT-23-3 |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Part # Aliases: | BSR802N L6327 SP000442484 |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 4.7 nC |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Pd - Power Dissipation: | 500 mW |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -8 V, +8 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 9.8 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 26 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 3.7 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Forward Transconductance - Min: | 16 S |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 17 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 20 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 550 mV |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 3000 |