Моя заявка (0)

BSR33QTA, Trans GP BJT PNP 80V 1A 2100mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R

BSR33QTA, Trans GP BJT PNP 80V 1A 2100mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8002313295
Артикул
BSR33QTA
Бренд
DIODES INC.
Вес, г
1
Серия
BSR33
Корпус
SOT-89/TO-243
Структура
pnp
Цена по запросу
(от 39 ₽)
Минимальный заказ: 1000 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Биполярные транзисторы - BJT Pwr Mid Perf Trans

Технические параметры

Вес, г1
СерияBSR33
КорпусSOT-89/TO-243
Структураpnp
Вид монтажаSMD/SMT
Тип продуктаBJTs - Bipolar Transistors
КвалификацияAEC-Q101
КонфигурацияSingle
ПодкатегорияTransistors
Торговая маркаDiodes Incorporated
Упаковка / блокSOT-89-3
Категория продуктаБиполярные транзисторы - BJT
Полярность транзистораPNP
Pd - рассеивание мощности2.1 W
Размер фабричной упаковки1000
Напряжение эмиттер-база (VEBO)5 V
Непрерывный коллекторный ток1 A
Напряжение коллектор-база (VCBO)90 V
Минимальная рабочая температура65 C
Максимальная рабочая температура+ 150 C
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.80 V
Максимальный постоянный ток коллектора1 A
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер0.5 V
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс.300
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)100
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT)100 MHz

Техническая документация