SIPMOS® P-Channel MOSFET, 620 mA, 60 V, 3-Pin SC-59 BSR315PH6327XTSA1
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8016042703
- Артикул
- BSR315PH6327XTSA1
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Case
- SC59
- RoHS
- Details
- Brand
- Infineon Technologies
- Width
- 1.3 mm
Цена по запросу
(от 46 ₽)
Минимальный заказ: 50 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Описание Транзистор: P-MOSFET, полевой, -60В, -0,49А, 0,5Вт, SC59 Характеристики Категория Транзистор Тип полевой Вид MOSFET
Технические параметры
| Case | SC59 |
| RoHS | Details |
| Brand | Infineon Technologies |
| Width | 1.3 mm |
| Height | 1.1 mm |
| Length | 2.9 mm |
| Series | SIPMOS® |
| Mounting | SMD |
| Fall Time | 20 ns |
| Packaging | Reel |
| Pin Count | 3 |
| Rise Time | 28 ns |
| Technology | Si |
| Вес, г | 1 |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | P |
| Manufacturer | Infineon |
| Package Type | SC-59 |
| Polarisation | unipolar |
| Configuration | 1 P-Channel |
| Drain current | -0.49A |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Mounting Style | SMD/SMT |
| Package / Case | SOT-23-3 |
| Part # Aliases | BSR315P H6327 SP001101032 |
| Kind of channel | enhanced |
| Transistor Type | 1 P-Channel |
| Product Category | MOSFET |
| Qg - Gate Charge | 6 nC |
| Power dissipation | 0.5W |
| Number of Channels | 1 Channel |
| Type of transistor | P-MOSFET |
| Структура | P-Channel |
| Gate-source voltage | ±20V |
| On-state resistance | 1.3Ω |
| Transistor Material | Si |
| Transistor Polarity | P-Channel |
| Drain-source voltage | -60V |
| Factory Pack Quantity | 3000 |
| Pd - Power Dissipation | 500 mW |
| Особенности | - |
| Vgs - Gate-Source Voltage | +/-20 V |
| Typical Turn-On Delay Time | 8 ns |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Typical Turn-Off Delay Time | 21 ns |
| Maximum Drain Source Voltage | 60 V |
| Id - Continuous Drain Current | -620 mA |
| Maximum Operating Temperature | +150 C |
| Minimum Operating Temperature | -55 C |
| Forward Transconductance - Min | 500 mS |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 2V |
| Maximum Drain Source Resistance | 0.8 Ω |
| Maximum Continuous Drain Current | 620 mA |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 620 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | -60 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | -2 V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 60 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 0.62 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 0.5 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.62 Ом |